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單晶爐
鎖定
- 中文名
- 單晶爐
- 外文名
- monocrystalfurnace
- 類 別
- 工業爐
單晶爐產品構成
提拉頭:主要由安裝盤 減速機 籽晶腔 劃線環 電機 磁流體 籽晶稱重頭 軟波紋管等其他部件組成
副室:主要是副室筒以及上下法蘭組成
爐筒:包括取光孔
下爐筒:包括抽真空管道
底座機架:全鑄鐵機架和底座
電源以及電控櫃:電源櫃 濾波櫃 控制櫃 以及連接線
單晶爐產品簡介
購買技術主要要求
1.單晶爐裝料量(單台機產能多少) 2. 能拉多長、幾寸的硅棒 3. 拉制晶棒的成品率是多少4拉出硅棒品質(少子壽命、電阻率、碳氧含量、位錯密度) 5設備製造工藝控制保證 6自動化控制程度 7設備主要關鍵部件的配置等 。
單晶爐型號定義
單晶爐型號有兩種命名方式,一種為投料量,一種為爐室直徑。比如85爐,是指主爐筒的直徑大小,120、150等型號是由裝料量來決定的
單晶爐主要需要控制的方面
一、晶體直徑(尺寸)
二、温度(功率控制)
三、原料(硅料)
四、泄漏率,氬氣質量等
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單晶爐熱場的設計與仿真
單晶直徑在生長過程中可受到温度,提拉速度與轉速,坩堝跟蹤速度與轉速,保護氣體的流速等因素的影響。其中温度主要決定能否成晶,而速度將直接影響到晶體的內在質量,而這種影響卻只能在單晶拉出後通過檢測才能獲知。温度分佈合適的熱場,不僅單晶生長順利,而且品質較高;如果熱場的温度分佈不是很合理,生長單晶的過程中容易產生各種缺陷,影響質量,情況嚴重的出現變晶現象生長不出來單晶。因此在投資單晶生長企業的前期,一定要根據生長設備,配置出最合理的熱場,從而保證生產出來的單晶的品質。在晶體生長分析與設計中,實驗與數值仿真是相輔相成的,其過程可以分為兩個部分:
(1)在第一階段,利用引上法晶體生長實驗來進行數值模擬參數的調整。