-
位錯密度
鎖定
- 中文名
- 位錯密度
- 外文名
- Dislocation Density
- 單 位
- 1/平方釐米
- 應 用
- 晶體結構
目錄
- 1 位錯密度的定義
- 2 位錯密度的測定
- 3 位錯密度對材料力學的影響
- 4 位錯的形態特點
- 5 鍺單晶中位錯密度的影響因素
位錯密度位錯密度的定義
在通常的晶體中都存在大量的位錯,而這些位錯的量就用位錯密度來表示。位錯密度定義為單位體積晶體中所含的位錯線的總長度。位錯密度的另一個定義是:穿過單位截面積的位錯線數目,單位也是1/平方釐米
[2]
。
位錯密度位錯密度的測定
1.切割、研磨樣品。
2.化學拋光:採用HF:HNO=1:(3~5)的拋光液。注意反應不要太劇烈,以避免樣品氧化。最好不讓晶體表面暴露於空氣之中。
3. 化學腐蝕:一般HF:CrO3(33%)水溶液=1:1的腐蝕液,此腐蝕液具有擇優性,且顯示可靠。
4.在腐蝕液中侵泡10~15min可以全部顯露出來。
5.在顯微鏡下觀看位錯的面密度(ND)
S——單晶截面積;N——穿過截面積S的位錯線
金相顯微鏡視場面積的大小需依據晶體中位錯密度的大小來選定。一般位錯密度大時,放大倍數也應大些。國家標準(GB1554-79)中規定
[1]
:位錯密度在104個/cm2以下者,採用1mm2的視場面積;位錯密度在104個/cm2以上者,採用0.2mm2的視場面積。並規定取距邊緣2mm的區域內的最大密度作為出廠依據
[3]
。
位錯密度位錯密度對材料力學的影響
1對金屬材料來説,位錯密度對材料的韌性,強度等有影響。
2位錯密度越大,材料強度越大,延性越不好。
位錯密度位錯的形態特點
位錯密度鍺單晶中位錯密度的影響因素
直拉法生長的空間太陽能電池用鍺單晶中位錯密度的影響因素有
[2]
:
1.籽晶中位錯延伸對晶體中位錯密度的影響 ;
2.温度梯度對位錯密度的影響 ;
3.固液界面形狀對位錯密度的影響 ;
通過 d a s h 技術排除籽晶中位錯的影響
[1]
; 通過調整晶體 所處的熱場 ( 改變堝位和保温筒高度 ) 、 改變熔體中軸向負温度梯度的狀況 ( 增加坩堝杆的保温效果和開雙加熱器 ) 和通過設計出軸向温度梯度為線性温度梯度徑向温度梯度較小的熱 場來減小温度梯度對位錯密度的影響 ; 通過調整固液界面形 狀 ( 改變拉速 、 堝 轉和晶轉 ) 來改善由於固液界面形狀不佳帶來的位錯增值現象 。通過上述措施可以基本消除單晶中位錯排 、 位錯堆以及小角晶界 , 得到低位錯密度的單晶
[2]
。
- 參考資料
-
- 1. 基於位錯密度的流動應力模型的研究 .中國知網[引用日期2015-02-09]
- 2. 鍺單晶中位錯密度的影響因素 .中國知網[引用日期2015-02-09]
- 3. 位錯密度的測定 .百度文庫[引用日期2015-02-09]
- 4. 位錯密度對材料力學性能有何影響 .百度[引用日期2015-02-09]
- 5. 位錯密度 .百度文庫[引用日期2015-02-09]