劉軼

劉軼博士一直致力於新一代集成電路芯片為基礎的高速信號通信的研究和開發，在功率放大器的拓撲結構、智能型可控電源的InGap/GaAs HBT射頻功率放大器（PA）、多頻段（2.4/5GHz）多芯片（MCM）模塊的無線網絡系統、低温共燒陶瓷(LTCC)倒裝芯片封裝技術等研發領域具有很深的造詣。在業界率先提出一種新穎的PA拓撲結構，為HBT/PHEMT功率放大器在無線通信(WRIELESS LAN, W-CDMA)中的應用奠定了堅實的基礎，併為美國IEEE制定高速無線光通信的國際標準（IEEE 802.11.a/b/g/16n/ac）提供了大量的數據。相對於第一代的半導體材料CMOS，GaAs是第二代的半導體材料，在設計生產PA時，具有其獨特的優越性。隨着InGaP/GaAs工藝技術的不斷髮展，成本的降低，在2000年前後開始逐漸進入民用的網絡，手機通信和衞星導航等領域，劉軼博士在2000年開始使用GaAs設計PA，是最早使用GaAs材料設計PA的設計人員之一。

1、2006年和2012年二度榮獲美國華裔教授傑出貢獻獎

2、榮獲2012年上海“僑商風雲人物”最佳自主創新獎

（1）上海市科委2011年度：“創新行動計劃”院市合作項目：TD-LTE射頻功率放大器芯片及模塊研發

（2）國家科技部2013年度科技創新基金：“基於InGaP/GaAs HBT 工藝的第四代移動通信射頻功率放大器芯片”

1. JIN JIE, LIU YI "Novel Carrier Recovery Scheme in Multi-Carrier Digital TV System", International Journal of Communication Systems, 2012.

2. CUI JIE, CHEN LEI, LIU YI: Design of A Wideband High-power High-linearity InGaP/GaAs HBT Power Amplifier Applied Specifically for 802.11a/ac/16e. Global Symposium on Millimeter Waves 2013

3. CUI JIE, LIU YI: "A High-linearity InGaP/GaAs HBT Power Amplifier for IEEE 802.11a/n", Journal of Semiconductor, June 2013.

4. CUI JIE, LIU YI: “Monolithic Single-pole Sixteen-Throw T/R Switch for Next-generation Front-end Module” MTT-S, IEEE Microwave and Wireless 2013.

劉軼, 嚴偉著：“RF circuit design fundamentals” TsingHua University Publisher, 2014 （21世紀高等學校規劃教材） ^[1]