伊曉燕

2003-09--2006-07 中國科學院半導體研究所 博士 ^[3] 

2013-01~, 中國科學院半導體研究所, 研究員

2009-01~2012-12,中國科學院半導體研究所, 副研

2006-07~2008-12,中國科學院半導體研究所, 助研 ^[3] 

氮化物發光二極管量子效率提升技術研究

氮化物LED器件工藝與物理研究

新型光電子器件研究 ^[2] 

伊曉燕在半導體所參加工作，負責大功率LED器件工藝線和新型器件工藝開發工作。2007年加入中國科學院半導體照明研發中心，現任中心總工程師，主要從事新型結構大功率LED研究工作，主要包括氮化鎵基發光二極管器件物理研究及結構設計，垂直結構LED研究，氧化鋅、石墨烯等新型透明電極材料研究等領域。十一五期間，作為骨幹力量參與“半導體照明工程”重大項目多項課題，先後研製成功低熱阻倒裝結構大功率LED，條形雙透明電極結構LED，低電壓薄膜結構LED。作為課題負責人承擔“十二五” 863計劃“高效半導體照明關鍵材料技術研發”重大項目課題“150 lm/W的GaN基LED量子效率提升技術研究”，開展高效氮化物LED量子效率提升技術研究。相關領域發表學術論文30餘篇，申請發明專利 20 餘項，授權專利5項，中科院成果鑑定1項。

1月10日上午，中共中央、國務院在北京隆重舉行2019年度國家科學技術獎勵大會。半導體所牽頭的“高光效長壽命半導體照明關鍵技術與產業化”項目榮獲2019年國家科技進步獎一等獎。 “高光效長壽命半導體照明關鍵技術與產業化”項目主要完成人包括：李晉閩、林科闖、王軍喜、伊曉燕 ^[1]  、劉志強、範玉缽、林洺鋒、朱曉東、李國平、袁毅凱、阮軍、梁毅、吳晞敏、蔡文必、劉乃鑫。

（1） 高光效長壽命半導體照明關鍵技術與產業化, 一等獎, 國家級, 2019

（2） 中國優秀專利獎, , 專項, 2014

（3） 低熱阻高光效藍寶石基GaN LED材料外延及芯片技術, 二等獎, 國家級, 2014

（4） 高性能大功率LEDs外延、芯片及應用集成技術, 一等獎, 省級, 2012 ^[3] 

2022-03-24-2027-03-23,中國照明學會, 高級會員

2014-01-01-今,北京市第三代半導體材料與應用工程技術中心, 副主任 ^[3]