李晉閩

1982年在西安交通大學電子工程系半導體物理與器件專業獲得工學學士學位；

1984年在信息產業部電子第十三研究所獲得半導體材料與器件物理專業工學碩士學位；

1991年在中科院西安光學精密機械研究所獲得光學專業理學博士學位， ^[4] 

1995-06~現在, 中國科學院半導體研究所, 研究員

1993-08~1995-05,中國科學院半導體研究所, 副研究員

1991-05~1993-07,中國科學院半導體研究所, 博士後

1987-12~2001-05,中國科學院西安光機所, 博士

1984-01~1987-08,電子工業部第十三研究所, 助理工程師

1991年進入中國科學院半導體研究所從事博士後研究工作；

1993任中國科學院半導體研究所副研究員；

1995年被中國科學院破格晉升為研究員，同年被評為享受政府特殊津貼專家；

1995至2002年，任中國科學院半導體研究所所長助理，所學術委員會委員，材料科學中心主任；

2000年至2002年作為高級訪問學者在美國加州大學洛杉磯分校電機工程系從事研究工作；

2002年至2011年任中國科學院半導體研究所所長。現任中國科學院半導體照明研發中心主任。 ^[4] 

2022年9月，任中北大學半導體與物理學院院長。 ^[5] 

2004-09-29-今,國家半導體照明工程研發及產業聯盟, 執行主席

Gao-F ，Huang-CJ， Huang-DD， Li-JP ，Sun-DZ， Kong-MY， Zeng-YP， Li-JM， Lin-LY, "Changing the Size and Shape of Ge Island by Chemical Etching" JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2001, Vol 231, Iss 1-2, pp 17-21,2001.

Wang-YS, Li-JM ,Jin-YF ,Wang-YT ,Sun-GS, Lin-LY, "The Formation and Stability of Si1-xCx Alloys in Si Implanted with Carbon" CHINESE SCIENCE BULLETIN 2001, Vol 46, Iss 3, pp 200-204,2001.

Liu-B ,Zhuang-QD ,Yoon-SF, Dai-JH, Kong-MY ,Zeng-YP, Li-JM,Lin-LY, Zhang-HJ, "Properties and Turning of Intraband Optical-Absorption in InxGa1-xAs/GaAs Self-Assembled Quantum-Dot Superlattice" INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B 2001, Vol 15, Iss 13, pp 1959-1968,2001.

Wang-JX ,Sun-DZ ,Wang-XL, Li-JM ,Zeng-YP, Hou-X, Lin-LY, High-Quality GaN Grown by Gas-Source MBE JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2001, Vol 227, Iss JUL, pp 386-389,2001.

Sun-GS ,Li-JM, Luo-MC ,Zhu-SR, Wang-L, Zhang-FF, Lin-LY, Epitaxial-Growth of SiC on Complex Substrates JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2001, Vol 227, Iss JUL, pp 811-815,2001.

Li-JM, Sun-GS, Zhu-SR, Wang-L, Luo-MC ,Zhang-FF, Lin-LY, Homoepitaxial Growth and Device Characteristics of SiC on Si-Face-(0001) 6H-SiC JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2001, Vol 227, Iss JUL, pp 816-819 ,2001.

Gao-F, Huang-DD ,Li-JP ,Kong-MY, Sun-DZ, Li-JM ,Zeng-YP, Lin-LY, Growth of SiGe Heterojunction Bipolar-Transistor Using Si2H6 Gas and Ge Solid Sources Molecular-Beam Epitaxy JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2001, Vol 223, Iss 4, pp 489-493,2001

Gao-F, Lin-YX, Huang-DD, Li-JP ,Sun-DZ ,Kong-MY, Zeng-YP ,Li-JM, Lin-LY, Effects of Annealing Time and Si Cap Layer Thickness on the Si/SiGe/Si Heterostructures Thermal-Stability JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2001, Vol 227, Iss JUL, pp 766-769,2001.

Gao-F, Huang-DD ,Li-JP, Lin-YX ,Kong-MY, Li-JM, Zeng-YP ,Lin-LY, The Growth of Si/SiGe/Si Structures for Heterojunction Bipolar-Transistor by Gas-Source Molecular-Beam Epitaxy JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2000, Vol 220, Iss 4, pp 457-460,2001.

場助半導體光電陰極理論與實驗，科學出版社 1993年 ^[1] 

（1） 何梁何利基金2020年度科學與技術創新獎, , 其他, 2020

（2） 高光效長壽命半導體照明關鍵技術與產業化, 一等獎, 國家級, 2019 ^[3] 

（3） 山西省科技創新特殊貢獻獎, 省級, 2019 ^[3] 

（4） 2017年中國產學研合作突出貢獻獎（共10名）, , 其他, 2017 ^[3] 

（5） 氮化鎵基紫外與深紫外LED關鍵技術, 二等獎, 國家級, 2015 ^[3] 

（6） 低熱阻高光效藍寶石基GaN LED材料外延及芯片技術, 二等獎, 國家級, 2014 ^[3] 

（7） 高功率全固態激光器關鍵技術及應用研究, 二等獎, 省級, 2014

（8） 採用全光學膜體系的垂直結構發光二極管製作方法, 部委級, 2014 ^[3] 

（9） 高性能大功率LEDs外延、芯片及應用集成技術, 一等獎, 省級, 2012 ^[3] 

2021年8月1日，入選2021年中國科學院院士增選初步候選人名單（信息技術科學部）。 ^[2] 

（ 1 ） 一種製備小間距LED全綵顯示陣列的方法, 2017, 第 5 作者, 專利號: 201410730418.8

（ 2 ） 硅襯底及其製備方法, 2017, 第 3 作者, 專利號: 201510266643.5

（ 3 ） LED倒裝基板的結構, 2017, 第 4 作者, 專利號: 201621273609.7

（ 4 ） 一種倒裝結構發光二極管及其製作方法, 2017, 第 4 作者, 專利號: 201410658854.9

（ 5 ） 一種紫外發光二極管器件的製備方法, 2017, 第 5 作者, 專利號: 201410183522.X

（ 6 ） 低熱阻LED封裝結構及封裝方法, 2017, 第 5 作者, 專利號: 201310067793.4

（ 7 ） 柔性發光器件陣列及其製作方法, 2017, 第 5 作者, 專利號: 201510016315.X

（ 8 ） Packaging structure of light emitting diode and method of manufacture the same, 2016, 第 1 作者, 專利號: US 9,246,052 B2

（ 9 ） Fabrication Method of GaN Power LEDs with Electrodes Formed by Composite Optical Coatings, 2011, 第 1 作者, 專利號: US 7,704,764 B2

（ 10 ） Method for Manufacturing a GaN Based LED of a Black Hole Structure, 2008, 第 1 作者, 專利號: US 7,285,431 B2 ^[3]