王軍喜

2000-09--2003-06 中國科學院半導體研究所 博士

1998-09--2000-06 西北大學 碩士

1994-09--1998-06 西北大學 學士 ^[3] 

2003-07~, 中國科學院半導體研究所, 助研/副研究員/研究員 ^[3] 

氮化物材料的MOCVD生長研究、深紫外LED用氮化物材料生長研究及LED器件製備。  ^[2] 

從事氮化物材料生長和器件研製工作八年，熟悉MOCVD 、MBE和HVPE生長設備和相關材料分析表徵方法。使用國產NH3-MBE生長設備，獲得了具有當時國際水平的高遷移率GaN外延片；作為骨幹科研人員，所在小組研製成功了壓電極化效應誘導的高質量AlGaN/GaN二維電子氣結構材料，並用所研製的材料與信息產業部第十三研究所合作研製出了中國第一隻氮化物高温HEMT器件；負責自主設計並製備了一台HVPE厚膜GaN材料生長設備，獲得了厚膜GaN材料生長速率超過了每小時200μm，晶體質量位於國內領先水平；在“十一五”期間，負責氮化物MOCVD材料生長研究，主要方向為GaN基LED材料生長研究和紫外LED材料生長研究。  ^[2] 

2020年1月10日上午，中共中央、國務院在北京隆重舉行2019年度國家科學技術獎勵大會。半導體所牽頭的“高光效長壽命半導體照明關鍵技術與產業化”項目榮獲2019年國家科技進步獎一等獎。 “高光效長壽命半導體照明關鍵技術與產業化”項目主要完成人包括：李晉閩、林科闖、王軍喜、伊曉燕、劉志強、範玉缽、林洺鋒、朱曉東、李國平、袁毅凱、阮軍、梁毅、吳晞敏、蔡文必、劉乃鑫 ^[1]  。

2016-06-01-今,中國照明學會農業照明專業委員會, 副主任委員

2016-04-16-今,中國材料研究學會, 理事

2016-04-01-今,中國微米納米技 術學會青年工作委員會, 委員

2014-07-01-今,北京市第三代半導體材料及應用工程技術研究中心, 主任

2010-12-02-今,中國科學院半導體照明研發中心, 副主任 ^[3]