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opc
(光學鄰近效應校正)
鎖定
opc(光學鄰近校正),指的是光學鄰近校正,作用是彌補衍射造成的圖像錯誤。
- 中文名
- 光學鄰近校正
- 外文名
- OPC
- 作 用
- 彌補衍射造成的圖像錯誤
- 目 標
- 使硅片上的電路與原始的設計一致
opc釋義
OPC(3張)
opc應用條件
一般來説,當晶圓上的線寬小於曝光波長時,必須對掩模上的圖形做鄰近效應修正。例如,使用248nm波長光刻機,當圖形線寬<250nm時,必須使用簡單的修正;當線寬<180nm時,則需要非常複雜的修正。使用193nm波長光刻機,當最小線寬<130nm時,就必須做圖形修正
[2]
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基於經驗的光學鄰近效應修正
光學鄰近效應修正首先於250nm技術節點被引入報道提光刻工藝中。OPC軟件根據事先確定的規則對設計圖形做光學鄰近效應修正。這種方法的關鍵是修正規則,它規定了如何對各種曝光圖形進行修正。其形式與內容會極大的影響OPC數據處理的效率和修正的精度。修正規則是從大量實驗數據中歸納出來的,隨着計算技術的發展,修正規則也可以通過計算的方法產生。修正規則都是在一定光照條件下產生的。如果工藝條件發生了變化,這些修正規則必須重新修訂
[2]
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基於模型的光學鄰近效應修正
基於模型的光學鄰近效應修正從90nm技術節點開始被廣泛應用。它使用光學模型和光刻膠化學反應模型來計算出曝光後的圖形。該方法的關鍵是建立精確的光刻模型,包括光學模型和光刻膠模型,為達到較高的計算速度,這些模型都採用近似模型,其中包含一系列參數,需要實驗數據來進行擬合,以保證模型的精確度。顯然實驗數據越多,模型擬合越精確。
[3]
但是太多的測試圖形會使得晶圓數據的收集量太大。因此,測試圖形的設計非常關鍵
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- 參考資料
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- 1. Calibre OPC and PSM .mentor[引用日期2014-07-18]
- 2. 韋亞一.超大規模集成電路先進光刻理論與應用.北京:科學出版社,2016:342-360
- 3. 韋亞一.計算光刻與版圖優化:電子工業出版社,2021年:107-108
- 4. 先導光刻技術中的光學鄰近效應修正,粟雅娟,劉豔松,微納電子技術,2014,51(3):186-193