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刻蝕
鎖定
- 中文名
- 刻蝕
- 外文名
- etch
- 工 藝
- 半導體制造工藝
- 狹義理解
- 光刻腐蝕
刻蝕方法
優點是選擇性好、重複性好、生產效率高、設備簡單、成本低
幹法刻蝕種類很多,包括光揮發、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。按照被刻蝕的材料類型來劃分,幹法刻蝕主要分成三種:金屬刻蝕、介質刻蝕和硅刻蝕
[2]
。介質刻蝕是用於介質材料的刻蝕,如二氧化硅。幹法刻蝕優點是:各向異性好,選擇比高,可控性、靈活性、重複性好,細線條操作安全,易實現自動化,無化學廢液,處理過程未引入污染,潔淨度高。缺點是:成本高,設備複雜。幹法刻蝕主要形式有純化學過程(如屏蔽式,下游式,桶式),純物理過程(如離子銑),物理化學過程,常用的有反應離子刻蝕RIE,離子束輔助自由基刻蝕ICP等
[3]
。
幹法刻蝕方式很多,一般有:濺射與離子束銑蝕, 等離子刻蝕(Plasma Etching),高壓等離子刻蝕,高密度等離子體(HDP)刻蝕,反應離子刻蝕(RIE)。另外,化學機械拋光CMP,剝離技術等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術。
- 參考資料
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- 1. 超大規模集成電路先進光刻理論與應用 .豆瓣讀書[引用日期2019-12-10]
- 2. 半導體制造技術 .豆瓣讀書[引用日期2019-12-10]
- 3. 韋亞一.計算光刻與版圖優化:電子工業出版社,2021年