Tri-Gate

世界上第一個3-D三維晶體管“Tri-Gate”由Intel於2011年5月6日宣佈 3D三維晶體管

研製成功，這項技術被稱為“年度最重要技術”，3-D Tri-Gate三維晶體管相比於32nm平面晶體管可帶來最多37%的性能提升，而且同等性能下的功耗減少一半，這意味着它們更加適合用於小型掌上設備。

Intel於2011年5月6日宣佈了所謂的“年度最重要技術”——世界上第一個3-D三維晶體管“Tri-Gate”。晶體管是現代電子學的基石，而Intel此舉堪稱晶體管歷史上最偉大的里程碑式發明，甚至可以説是“重新發明了晶體管”。半個多世紀以來，晶體管一直都在使用2-D平面結構，現在終於邁入了3-D三維立體時代。

英特爾今天表示，在微處理器上實現了歷史性的技術突破：成功開發世界首個3D晶體管，名叫Tri-Gate。據英特爾介紹説，3-D Tri-Gate晶體管能夠支持技術發展速度，它能讓摩爾定律延續數年。該技術能促進處理器性能大幅提升，並且可以更節能，新技術將用在未來22納米設備 中，包括小的手機到大的雲計算服務器都可以使用。

根據英特爾的解釋，公司重新為芯片設計了電子開關（即晶體管），在過去開關是平面的，現在增加了第三維， 它由硅基向上突出。例如，當土地有限，要增加辦公室就可以蓋摩天大樓。新的3D晶體管道理與此相似。

英特爾展示了22納米處理器，代號為Ivy Bridge，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產芯片。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質性的區別，它不只可以用在電腦、手機和消費電子產品上，還可以用在汽車、宇宙飛 船、家用電器、醫療設備和其它多種產品中。

英特爾CEO歐德寧説：“英特爾的科學家和工程師曾經重新發明晶體管，這一次利用了3D架構。很讓人震驚，改變世界的設備將被創造出來，我們將把摩爾定律帶入新的領域。”

長久以來，科學家就認識到3D架構可以延長摩爾定律時限。這次突破可以讓英特爾量產3-D Tri-Gate晶體管，從而進入到摩爾定律的下一領域。

摩爾定律認為由於硅技術的發展，每2年晶體管密度就會翻倍，它能增強功能和性能，降低成本。在過去四十年裏，摩爾定律成為半導體產業的基本商業模式。

通過使用3D晶體管，芯片可以在低電壓和低泄露下運行，從而使性能和能耗取得大幅改進。在低電壓條件下，22納米的3-D Tri-Gate晶體管比英特爾32納米平面晶體管性能提高37%。這意味着它能用在許多小的手持設備中。另外，在相同的性能條件下，新的晶體管耗電不及 2D平板晶體管、32納米芯片的一半。

首款3-D Tri-Gate晶體管22納米芯片代號為Ivy Bridge，英特爾今天展示了該芯片，它能用在筆記本、服務器和台式機中。Ivy Bridge家族的芯片將成為首個大量生產的3-D Tri-Gate晶體管芯片，它將在年底開始量產。3-D Tri-Gate晶體管還將用在凌動芯片中。

英特爾推出下一代芯片技術，在微處理器裝上更多的晶體管，並希望藉此幫助公司掌握平板、智能手機市場的話語權。

按照英特爾的計劃，2011年底將推出採用新技術的芯片，提供給服務器和台式機、筆記本，它還會為移動設備開發新的處理器。

採用3D晶體管的英特爾芯片可能會給ARM構成威脅，畢竟ARM是現任移動市場的老大。

受新技術發佈消息刺激，ARM的股價今天大跌7.3%，在倫敦收於5.58英磅。

Matrix分析師阿德里安(Adrien Bommelaer)認為，英特爾是否能迅速闖進ARM的後院，這還沒有定論。他説：“英特爾顯然想跳出核心PC市場的範圍。關鍵問題是‘它們能推出一款 處理器，足夠強大，可以在移動計算領域一爭高下嗎？’”“它們將推出新的芯片，比上一代32納米芯片節能50%，朝正確方向前進了一大步，但是否足夠？我 不知道。要知道ARM自己的能效也在進步。”

據英特爾説22納米的芯片性能比現在的32納米芯片更高。為了擴大製程技術的優勢，趕上移動競賽，上個月英特爾將2011年資本開支提高到102億美元，原定數額為90億美元，目的是落實12納米制程的開發。

在製程工藝上，英特爾大大領先於其它芯片商，它可以製造更快更高效的處理器。

自19世紀60年代以來，英特爾和其它半導體企業投入數十億美元搞研發，每兩年讓芯片上的晶體管數量翻倍，從而方便產品進入到更小更快的小電子 產品中。隨着時間的推進，開發和使用先進製程技術成本過高，許多企業無法負擔。但分析師説，英特爾資金雄厚，能持續推進製程發展。

花旗集團分析師揚(Glen Yeung)對英特爾的新技術表示讚揚，將目標價提高到了27美元，建議買入英特爾股票。他認為英特爾在芯片製造上有3-4年優勢，當芯片閒置時，3D晶體管可以減少電流泄漏，當芯片繁忙時它能運行在更低的電壓下