平面晶體管

平面晶體管的內部結構情況，如圖《平面晶體管結構示意圖》所示。它的中心機構也是包括兩個p-n結和三個區域。兩個p-n結是發射結和集電結；三個區域是發射區、基區和集電區。不過對平面晶體管來説、這兩個p-n結都是由雜質擴散到晶片內部而形成的。

先用p型雜質元素——如硼元素作為擴散雜質源，在高温下該雜質原子擴散到晶片內部的n型外延層中，形成p型擴散基區。這個p型擴散基區與原先生長在晶片表面的扎型外延層形成一個p-n結，這就是晶體管的集電結。再用n型雜質元素——如磷元素作為擴散雜質源，在p型基區上方形成一個扎型擴散發射區；它與p型基區又形成一個p-n結，這個p-n結就是發射結。

之後在p型基區和n型發射區上表面分別製作金屬化電極——基極和發射極，而集電極則從晶片下表面，即晶片背面引出。這樣就製得了n-p-n型平面晶體管的管芯。 ^[2] 

1、晶體表面始終有一層起保護作用的二氧化硅膜，因而使p-n結可以免受污染和有害氣氛的影響，大大地提高了晶體管的可靠性、穩定性和參數的均一性；

2、反向電流極小，僅為毫微安數量極。例如，3伏電壓和100毫安的電流就可以供給10000個小功率平面管使用，從而可以大大減輕供電電源的重量。這對宇宙航行和火箭電子設備來就是具有重要意義的；

3、由於p-n結不暴露在外面，表面非常穩定，故噪聲也比其他類型晶體管小；

4、採用平面結構和工藝，可以製造出十分精緻複雜的電極圖樣，從而開拓了晶體管向高頻大功率方向發展的廣闊途徑。 ^[1]