TDLAS

可調諧半導體激光吸收光譜

可調諧半導體激光器，常用於TDLAS技術的可調諧半導體激光器包括：法珀（Fabry-Perot）激光器、分佈反饋式(Distributed Feedback)半導體激光器、分佈布喇格反射（Distributed Bragg reflector）激光器、垂直腔表面發射（Vertical-cavity surface-emitting）激光器和外腔調諧半導體激光器。

TDLAS通常是用單一窄帶的激光頻率掃描一條獨立的氣體吸收線。為了實現最高的選擇性，分析一般在低壓下進行，這時吸收線不會因為壓力而加寬。這種測量方法是Hinkley和Reid提出的，已經發展成為了非常靈敏和常用的大氣中痕量氣體的監測技術。

(1) 高選擇性，高分辨率的光譜技術，由於分子光譜的“指紋”特徵，它不受其它氣體的干擾。這一特性與其它方法相比有明顯的優勢。

(2) 它是一種對所有在紅外有吸收的活躍分子都有效的通用技術，同樣的儀器可以方便的改成測量其它組分的儀器，只需要改變激光器和標準氣。由於這個特點，很容易就能將其改成同時測量多組分的儀器。

(3) 它具有速度快，靈敏度高的優點。在不失靈敏度的情況下，其時間分辨率可以在ms量級。應用該技術的主要領域有：分子光譜研究、工業過程監測控制、燃燒過程診斷分析、發動機效率和機動車尾氣測量、爆炸檢測、大氣中痕量污染氣體監測等。

(1)獲得分子結構的信息，(2)研究其動力學過程，(3)痕量氣體監測分析。

國外研究的較早，廣泛用在痕量氣體的檢測，温室氣體通量的監測等方面。

國內主要是90年代末期開始，發展較快，特別是近十年來，以中科院安徽光學精密研究所、中科院力學研究所、中科院半導體所為代表的國內科研機構，在環境監測，發動機燃燒診斷，生態測量等方面，出了很多研究成果。