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LDD結構

鎖定
LDD結構即是在溝道中靠近漏極的附近設置一個低摻雜的漏區,讓該低摻雜的漏區也承受部分電壓,這種結構可防止熱電子退化效應。
中文名
LDD結構/輕摻雜漏結構
外文名
Lightly Doped Drain
目    的
減弱漏區電場 改進熱電子退化
作    用
防止熱電子退化效應
釋義
實際上,這種結構已經成為了大規模集成電路MOSFET基本結構
LDD結構 LDD結構