雙重光刻

雙重光刻中，第一次光刻使用第一塊掩模版，光刻完成後，做刻蝕，把光刻膠上的圖形轉移到下面的硬掩模上，然後旋塗光刻膠使用第二塊掩模完成第二次光刻（曝光和顯影），刻蝕把第二次的光刻膠圖形轉移到硬掩模上，最後把硬掩模上的圖形刻蝕轉移到襯底上。儘管LELE的工藝流程比較複雜，但是它並不需要開發任何新的材料。在過去技術節點得到了驗證的材料和工藝基本上均可以使用。 ^[1]  雙重光刻技術多用於包含不規則排列光刻結構的工藝實現，其可以實現週期從80nm到44nm的核心圖形。雙重光刻技術是金屬層和接觸孔圖形最常用的工藝技術，其拆分方法直觀、掩模數量需求較少、對圖層的設計規則要求相對寬鬆 ^[2]  。

LELE可以採用多種方法來實現，它們各有利弊。圖1為雙重光刻流程，首先，硬掩模層（如SiN）被沉積在襯底上，光刻膠材料被旋塗在硬掩模上。第一次光刻之後，在光刻膠上形成溝槽，密度為設計時一半的圖形，即佔空比（溝槽與線條比值）為1:3。之後採用刻蝕工藝將圖形轉移到硬掩模上。 ^[3]  剝離殘餘光刻膠之後，做第二次光刻。第二次光刻可以使用不同的光刻材料，第二次光刻的圖形，同樣通過刻蝕被轉移到硬掩模上。最後，把硬掩模上的圖形刻蝕到襯底上。 ^[1]