陳建新

1986-09--1990-07 浙江大學 學士

1990-09--1995-07 中科院上海微系統與信息技術研究所 博士 ^[1] 

1995-07~2000-05,中科院上海微系統與信息技術研究所, 助理研究員、副研究員、研究員

2000-06~2001-10,瑞士聯邦工學院, 研究員

2001-11~2007-03,美國Bell實驗室, 研究員

2007-04~2009-09,美國普林斯頓大學, 研究教授 ^[1] 

曾任上海技術物理研究所副所長（保留副局級）。 ^[4] 

2024年2月20日，中共中國科學院黨組免去陳建新同志上海技術物理研究所副所長職務，保留副局級。 ^[4] 

研究領域包括半導體光電材料與器件，低維半導體材料與光電特性。 ^[3] 

在半導體電子和光電子領域，如量子級聯激光器、量子阱激光器、異質結晶體管、高電子遷移率晶體管等方面有長期的研究積累。目前主要從事InAs/GaSb II類超晶格紅外探測器及新型紅外光電器件研究，包括材料與器件結構設計、外延生長、器件製備及性能表徵。在國際期刊發表論文60餘篇，引用600多次。

截止2021年7月，在讀博士生3人，在讀碩士生3人。已畢業博士生11人，已畢業碩士生4人。就業率：100%。主要就業去向：科研院所、高校、高科技企業等。 ^[2] 

國家科技進步三等獎一項。

中國科學院和上海市科技進步獎多項。 ^[2] 

[1] 陳建新, 金博睿, 徐志成. 超高真空束源爐坩堝除氣裝置. CN: CN212533100U, 2021-02-12.

[2] 徐剛毅, 何力, 朱歡, 俞辰韌, 常高壘, 朱海卿, 陳建新, 王芳芳, 顏全. 用於測量太赫茲量子級聯激光器增益的器件及測量方法. CN: CN109244822B, 2021-01-01.

[3] 陳建新, 金博睿, 徐志成. 一種超高真空束源爐坩堝除氣裝置. CN: CN111534797A, 2020-08-14.

[4] 徐志成, 朱藝紅, 梁釗銘, 陳凱豪, 陳建新. 一種基於銻快門開關的無失配II類超晶格結構. CN: CN211208457U, 2020-08-07.

[5] 徐志成, 朱藝紅, 梁釗銘, 陳凱豪, 陳建新. 一種基於銻快門開關的無失配II類超晶格結構及製備方法. CN: CN111223948A, 2020-06-02.

[6] 徐剛毅, 何力, 俞辰韌, 朱歡, 常高壘, 朱海卿, 王凱, 白弘宙, 王芳芳, 陳建新, 林春. 一種集成有源布拉格反射器的單模太赫茲量子級聯激光器. CN: CN110707528A, 2020-01-17.

[7] 徐剛毅, 何力, 朱海卿, 朱歡, 常高壘, 俞辰韌, 王凱, 白弘宙, 王芳芳, 陳建新, 林春. 一種含有天線耦合器的圓偏振單模太赫茲量子級聯激光器. CN: CN110707527A, 2020-01-17.

[8] 徐剛毅, 何力, 朱海卿, 朱歡, 常高壘, 俞辰韌, 王凱, 白弘宙, 王芳芳, 陳建新, 林春. 一種含有高效率衍射光柵的單模太赫茲量子級聯激光器. CN: CN110690647A, 2020-01-14.

[9] 陳建新, 周易, 田源, 柴旭良, 徐志成. 基於帶間級聯結構的長波超晶格紅外探測器. CN: CN208904041U, 2019-05-24.

[10] 陳建新, 周易, 田源, 柴旭良, 徐志成. 一種基於帶間級聯結構的長波超晶格紅外探測器. 中國: CN108417661A, 2018.08.17.

[11] 周易, 陳建新, 田源. 一種用來測量超晶格材料少子橫向擴散長度的器件結構. 中國: CN108417663A, 2018-08-17.

[12] 周易, 陳建新, 王芳芳, 徐志成. 一種無鋁型II類超晶格長波雙勢壘紅外探測器. 中國: CN105789364B, 2018-07-06.

[13] 王芳芳, 陳建新, 徐志成, 餘成章. 一種砷化銦基II類超晶格結構及製備方法. 中國: CN106409937A, 2017.02.15.

[14] 王芳芳, 陳建新, 徐志成, 周易. 一種基於砷化銦襯底的II類超晶格結構. 中國: CN205542814U, 2016.08.31.

[15] 王芳芳, 陳建新, 徐志成, 餘成章. 一種砷化銦基II類超晶格結構及製備方法. 中國: CN105789355A, 2016.07.20.

[16] 周易, 陳建新, 王芳芳, 徐志成. 無鋁型II類超晶格長波雙勢壘紅外探測器. 中國: CN205810841U, 2016-12-14.

[17] 許佳佳, 陳建新, 馬偉平, 潘建珍, 李寧, 白治中. 一種紅外焦平面芯片的銦柱製備方法. 中國: CN106024982A, 2016-10-12.

[18] 王芳芳, 陳建新, 徐志成, 周易. 一種基於砷化銦襯底的II類超晶格結構及製備方法. 中國: CN105514189A, 2016-04-20.

[19] 王少偉, 梁禮曄, 陳建新, 白治中, 陸衞, 陳效雙, 陳飛良, 劉星星, 冀若楠. 中波紅外光譜可識別探測器. 中國: CN104568756A, 2015.04.29.

[20] 陳建新, 王芳芳, 徐志成, 周易, 徐慶慶. 基於砷閥開關的II類超晶格結構及製備方法. 中國: CN103500765A, 2014-01-08. ^[1] 

1. Wang Liang; Xu Zhicheng*; Xu Jiajia; Dong Feng; Wang Fangfang; Bai Zhizhong; Zhou Yi; Chai Xuliang; Li Hui; Ding Ruijun; Chen jianxin*; He Li; Fabrication and Characterization of InAs/GaSb type-II Superlattice Long-Wavelength Infrared Detectors Aiming High Temperature Sensitivity, JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2020, 38(21): 6129-6134.(期刊論文)

2. Huang Min; Chen Jianxin*; Zhou yi; Xu Zhicheng; He Li; Light-harvesting for high quantum efficiency in InAs-based InAs/GaAsSb type-II superlattices long wavelength infrared photodetectors, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 114(14). (期刊論文)

3. Wang Fangfang; Chen Jianxin*; Xu Zhicheng; Zhou Yi; He Li; Performance comparison between the InAs-based and GaSb-based type-II superlattice photodiodes for long wavelength infrared detection, Optics Express, 2017, 25(3): 1629-1635.(期刊論文)

4. Yi Zhou; Chen Jianxin*; Zhicheng Xu; Li He; High quantum efficiency mid-wavelength interband cascade infrared photodetectors with one and two stages , SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY , 2016, 31(8).(期刊論文)

5. Chen Jianxin*; Xu Qingqing; Zhou Yi; Jin Jupeng; Lin Chun; He Li; Growth and fabrication of InAs/GaSb type II superlattice mid-wavelength infrared photodetectors, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2011, 6.(期刊論文) ^[2]