鄭婉華

鄭婉華(6張)

1966年2月，鄭婉華出生于吉林省吉林市。

1984年9月—1988年6月，就讀於山東大學光學系，畢業並獲得理學學士學位。

1988年9月—1991年6月，就讀於中國科學院物理研究所，師從激光專家許祖彥院士，畢業並獲得理學碩士學位。

1991年7月—1994年10月，擔任中國科學院半導體研究所助理研究員。

1994年10月—1998年5月，就讀於香港浸會大學，畢業並獲得理學博士學位。

1998年5月—2001年9月，擔任中國科學院半導體研究所副研究員。

2000年7月，加入中國共產黨 ^[11]  。

2001年9月—2003年9月，在澳大利亞新南威爾士大學光電子實驗室從事博士後研究工作，並擔任副研究員。

2003年9月—2005年4月，擔任中國科學院半導體研究所研究員。

2005年4月—2005年7月，擔任日本橫濱大學光電子實驗室實驗室高級訪問學者。

2008年7月—2008年10月，擔任美國麻省理工學院光子學實驗室高級訪問學者 ^[4]  。

2010年，獲得國家傑出青年科學基金資助。

2014年，入選國家百千萬人才工程。

2018年10月，濰坊先進光電芯片研究院創立，鄭婉華擔任院長 ^[10]  。

2019年，入選山東省泰山學者特聘專家。

2021年11月，當選為中國科學院院士（信息技術科學部） ^[1-3]  。

第十四屆全國人大代表。 ^[14-15] 

鄭婉華於2003年回國後，最先向科技部建議在中國研究高性能光子晶體激光，並在中國國內率先突破激光激射，發展了從光子晶體能帶調控、光子晶體激光結構設計、材料生長到芯片製造的全鏈條自主可控技術體系 ^[8]  。

鄭婉華在硅基光子晶體和激光產生研究方面，採用硅基納米結構材料，實現高Q值的光子晶體微腔，首次在國際上採用硅基光子晶體寬帶隙材料，實現可見光的鎖模脈衝激射，上述工作被作為前沿技術進展分別在Laser Focus World（2003.2）、Photonics等雜誌報道；在III-V族半導體人工微結構材料與器件的研究方面，在中國國內首次實現InP、GaAs基光子晶體面發射、邊發射激光器的突破；在光子集成新技術方面，研製出中國國內首台具有自主知識產權的晶片鍵合、清洗系統；利用聯合調控光子態和電子態獲得高性能激光輸出取得了系統的創新性成果，低發散角光子晶體激光技術成功進行技術轉移 ^[6]  。

根據2022年6月中國科學院半導體研究所網站顯示，鄭婉華先後發表論文八十餘篇 ^[12]  。

根據2022年6月中國科學院半導體研究所網站顯示，鄭婉華先後作為項目負責人和主要完成人承擔和完成了"九.五"863、"十.五"863、自然科學基金等項目 ^[12]  。

根據2022年6月中國科學院半導體研究所網站顯示，鄭婉華先後作為第一完成人，獲得北京市科學技術獎二等獎、國家技術發明獎二等獎、中國光學工程學會科技創新獎一等獎、中國專利金獎和部委科學技術進步獎一等獎 ^[8]  ；擁有美國專利一項，申請中國國內專利十餘項 ^[12]  。

鄭婉華教授《微/納米激光技術》《寬帶高速硅基光子集成芯片》《光量子芯片系列前沿講座》《硅基微納光電子學基礎》《硅基微納光電子基礎》等課程 ^[5]  。

截至2021年11月，鄭婉華先後培養博士和碩士40餘名 ^[7]  。

2012年、2013年、2014年，鄭婉華連續三年獲中國科學院“優秀研究生指導教師”獎 ^[6]  。

2023年2月25日，被全國婦聯授予“全國巾幗建功標兵”稱號。 ^[16] 

鄭婉華在高性能光子晶體激光器基礎原理和關鍵技術方面做出了開創性和系統性貢獻 ^[6]  。（中國科學院半導體研究所教育網評）

鄭婉華參加工作二十多年來，她任勞任怨、恪盡職守，以嚴謹的工作態度，紮實的工作作風和忘我的敬業精神，在科研崗位上默默奉獻、兢兢業業，取得了優異的工作成績。她甘為人梯，始終努力將自己的科研和教書育人的成果回饋國家和社會，為中國光電子技術領域培養出一批優秀的技術人才 ^[11]  。（中國科學院評）