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許居衍

鎖定
許居衍,1934年7月9日出生於福建省福州市,微電子技術專家,中國工程院院士中國電子科技集團公司第五十八研究所名譽所長、教授級高級工程師 [1] 
許居衍於1957年從北京大學畢業後被分配到國防部第十研究院第十研究所工作 [2]  ;1961年調入第十研究院第13研究所工作;1970年至1985年擔任第四機械工業部第24研究所課題組長,研究室主任,所副總工程師,總工程師;1985年至1993年擔任電子工業部無錫微電子研究中心、無錫微電子聯合公司、中國華晶電子集團公司總工程師;1993年擔任中國電子科技集團公司第五十八研究所名譽所長;1995年當選為中國工程院院士 [1] 
許居衍長期從事半導體技術與微電子工業的開發工作 [1] 
中文名
許居衍
國    籍
中國
民    族
漢族
出生地
福建省福州市閩侯縣
出生日期
1934年7月9日
畢業院校
北京大學
職    業
教育科研工作者
主要成就
1995年當選為中國工程院院士
性    別
政治面貌
中國共產黨黨員

許居衍人物經歷

1934年7月9日,許居衍出生於福建省福州市閩侯縣都巡村。
1953年,從福建省閩侯中學畢業後考入廈門大學物理系 [3] 
1956年秋,轉入北京大學半導體物理專業。
1957年,畢業後被分配到國防部第十研究院第十研究所,負責半導體致冷效應及其在無線電設備中的應用研究。
1961年10 月,調入中國電子工業部門第一個半導體專業研究所——第十三研究所,任“固體電路預先研究”課題組長,成為中國第一塊硅平面單片集成電路的主要研製者。
1965年7月,第十三研究所組建集成電路研究室,許居衍擔任課題組長,從事二極管—晶體管邏輯(DTL)電路研究。
1970年,參與了中國第一個集成電路專業研究所——第二十四研究所的創建。
1970年—1975年,擔任課題組長。
1975年—1980年,擔任研究室主任。
1980年—1985年,擔任總工程師。
1980年,加入中國共產黨。同年被授予高級工程師。
1983年,作為國務院大規模集成電路與計算機(後更名為電子振興)領導小組顧問,參與國家和電子部關於加速發展中國大規模集成電路工業、加快開發電子產品的決策諮詢。
1985年,參與了第二十四研究所無錫分所組建以及隨後與無錫742廠共創的第一個微電子科研生產聯合企業——無錫微電子聯合公司(1988年改為中國華晶電子集團公司)的創建工作,並擔任公司總工程師。同年授予教授級高級工程師職稱。
1990年,參與了中國發展微電子重大專項計劃“908工程”的制定研討工作,作為專家組成員,參與了“908工程”的選點評估 [4] 
1993年02月,擔任電子工業部第58所(無錫微電子研究中心)名譽所長。
1994年,作為中方專家組組長,參與了“909”項目的推動諮詢研究,該諮詢研究促進了上海華虹公司的建立。
1995年,當選為中國工程院院士 [1]  [5] 
許居衍

許居衍主要成就

許居衍科研成就

  • 科研綜述
許居衍於1960年代初,主持摸索集成電路製造技術,研製成功中國第一代硅平面單片集成電路並轉移工廠生產。相繼提出並研製成功高速發射極分流限制飽和邏輯電路、集成注入肖特基邏輯電路等創新結構,用於中國早期計算機。1970年代籌建大規模集成電路新工藝,主持研製成功圖形發生器、圖形數字轉換機、控制計算機等組成的自動化製版系統和用於圖形編輯的集成電路計算機輔助設計(CAD)系統,以及離子注入等新工藝,為成功研製動態隨機存儲器等多種大規模集成電路開闢了技術基礎 [1] 
1987年,許居衍從“造”與“用”的對立統一觀出發,提出了硅主流產品總是圍繞“通用”與“專用”特徵循環、每10年波動一次的“硅產品特徵循環”規律。
許居衍於1980—90年代,探索科研與生產結合,促成建立無錫微電子科研生產聯合企業。主持完成微米級集成電路大生產技術、標準代工示範工程、微控制器、鍺硅HBT等重大項目。參與世行資助中國微電子工業發展研究,歸納發現半導體技術週期性創新規律(“許氏循環”)。主持完成微電子技術前景預測項目研究,成功預測2014—2017年進入硅技術生命曲線上的拐點(“微電子技術發展前景預測”) [1] 
  • 學術論著
許居衍從1958年起,在《電訊技術》《軍事無線電電子學簡報》《半導體學報》《電子學報》和自己所在研究所自辦的刊物以及其他中國國內外有關報刊上發表的關於半導體器件物理、集成電路及其設計、微電子技術經濟學等方面的論文和文章達60餘篇。
1980年,許居衍在《電子學報》上發表的《非均勻摻雜層的載流子平均遷移率及其應用》一文,計算方法嚴謹,對器件的工程設計有實際意義,其結果受到相關方面的重視。
1982年,許居衍在《Solid-State Electronics》上發表的“Average Mobilities of Carries in Subdoped Silicon Layers”,總結了他和所裏另一位同志1965年所從事的研究成果,提出了IC埋層雜質擴散和非均勻摻雜層遷移率等理論,為IC工程設計提供了理論依據。
1991年,許居衍以“硅微電子產品史上的六次波動”為節題,完稿入編《未來軍事電子》一書中 [4] 
  • 學術交流
1986年,許居衍參加廈門微電子發展戰略研討會,發表的論文《關於發展中國微電子工業的幾個問題》得到時任上海市市長江澤民的署名來信,給出了“文章對國際微電子技術發展狀況的論述和評價有獨特見解,對微電子技術的發展趨勢剖析比較清晰” [4] 
1988年,許居衍在第一屆微電子研究生學術研討會上提出:微電子技術在經歷了分立功能器件、功能機械集成以後,將向功能物理集成(生物芯片)發展;終端裝置由分立零件堆積仿形、零件集成仿形後,將向功能自然仿真(生物裝置)發展;人類在掌握了金屬鐵器、非金屬硅器等時代工具後,將向掌握有機物器具方向長驅直入的觀點,全被《21世紀世界預測》(上海文化出版社,1997,第三版)引用於該書序言《紀元晉千大預測》中 [4] 
  • 承擔項目
時間
項目名稱
項目來源
1991年
集成電路技術產業化研究

微電子技術發展前景預測(主持)


中國微電子工業發展戰略研究(參與)
世界銀行貸款科技項目

1~1.5μm大生產技術優化研究
國家“八五”重大科技攻關項目

微控制器系列產品開發與應用
國家重大科技攻關項目 [4] 

許居衍人才培養

  • 教育思想
許居衍認為:創新源於教育,教育是創新的基礎,一個國家教育水平的高低直接決定着這個國家創新能力的強弱,對於創新來説,教育起的是基礎性、先導性、全局性的作用。因此,從國家層面構建有利於促進科技創新的政策法規體系,制定出台各種扶持科技創新的政策,尊重規律、尊重現實、尊重創新的人,營造有利於創新的氛圍,是十分必要和迫切的 [6] 

許居衍榮譽表彰

時間
榮譽表彰
授予單位
1965年
三等功

1978年
全國科學大會獎

1978年
四川省科技先進工作者獎

1980年
全國國防系統先進工作者稱號

1991年
1995年
中國工程院院士
中華人民共和國國務院 [1] 

許居衍社會任職

時間
擔任職務
2001年7月
福州大學氣敏傳感器研究所兼職教授 [7] 

中國電子學會常務理事


中國工程院電子與信息學部常委

中國華晶電子集團公司顧問

國務院大規模集成電路辦公室顧問

國務院電子振興領導小組顧問

ICSICT國際會議程序委員會委員

國際ASIC會議程序委員會委員

中國人民政治協商會議江蘇省委員會委員

華東理工大學超細材料反應工程實驗室國家工程研究中心學術委員會委員




東南大學復旦大學南京大學等高校兼職教授 [10] 

許居衍人物評價

許居衍是中國集成電路IC工業技術奠基者和開拓者之一 [3] 廈門大學物理科學與技術學院評)
許居衍是中國微電子工業初創奠基的參與者和當今最重點企業的技術創建與開拓者,為中國微電子工業發展作出了重大貢獻 [11] (中國工程院資深院士孫俊人評)
許居衍探索科研與生產結合新模式,促成無錫微電子科研生產聯合企業的建立,為南方微電子基地的發展做出貢獻 [12] (江蘇省科協人才服務中心評)
參考資料
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