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第三代半導體材料

鎖定
二十一世紀以來，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表的第三代半導體材料開始初露頭角。 [1] 
中文名
第三代半導體材料
所屬學科
半導體

目錄

  1. 1 材料特點
  2. 2 應用

第三代半導體材料材料特點

第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。 [1] 

第三代半導體材料應用

第三代半導體材料可以實現更好的電子濃度和運動控制 [1]  ，更適合於製作高温、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領域具有重要的應用價值。市場火熱的5G基站、新能源汽車和快充等都是第三代半導體的重要應用領域。 [2] 
參考資料