硅氧四面體

英文：silicon oxygen tetrahedron

釋文：它是由位於中心的一個硅原子與圍繞它的四個氧原子所構成的配陰離子[SiO4]4-，因周圍的四個氧原子分佈成配位四面體的形式，故名。

在晶體結構中，各硅氧四面體可以各自孤立地存在，也可以通過共用四面體角頂上的一個、兩個、三個以至全部四個氧原子相互連結而形成多種不同形式的絡陰離子，從而形成不同結構類型的硅酸鹽晶體。

硅氧四面體的形式不一定是幾何上的正四面體，往往有不同形式的畸變。 ^[1] 

在硅氧四面體中，有三個氧位於同一個平面上，成為底氧，剩下的一個位於頂端，成為頂氧。

該結構中的六方網格內切圓直徑約為0.288nm，硅氧四面體片厚度約為0.5nm ^[1]