王文武

1992.09--1997.06 蘭州大學物理系金屬物理專業本科學習

1997.07--1998.08 研究所科研工作

1998.09--2002.10 蘭州大學凝聚態物理專業碩博連讀研究生

2002.10--2003.04 日本東京大學進行學術研究

2003.04--2006.04 日本東京大學材料工程專業博士研究生

2006.04--2006.07 日本東京大學工學院工作

2006.07--2008.04 日本產業技術綜合研究所工作

2008.04--2008.08 中科院微電子研究所副研究員

2008.08--2011.01 中科院微電子研究所研究員

2011.01--2015.01 中科院微電子研究所科技處處長、研究員

2015.01--2017.10 中科院微電子研究所所長助理、科技處處長、研究員

2017.10--2020.07 中科院微電子研究所所長助理、集成電路先導工藝研發中心 主任、研究員

2020.07--2022.10 中科院微電子研究所副所長、研究員 ^[3] 

2022.10-- 中科院重大科技任務局副局長 ^[1-2] 

集成電路先進工藝與器件技術 ^[3] 

2007年獲日本半導體MIRAI項目優秀獎

2008年獲日本半導體MIRAI項目最優秀獎

2014年獲中國科學院傑出科技成就獎（集體獎）

2017年獲北京市科學技術獎一等獎

2018年獲得國務院政府特殊津貼

2019年獲中國電子信息科技創新團隊獎 ^[3] 

2016.12，集成電路測試儀器與裝備產業技術創新聯盟秘書長

2016.06，北京電子製造裝備行業協會副秘書長 ^[4] 

作為項目（課題）負責人和技術骨幹參與了十餘項國家及省部級科研項目，包括國家科技重大專項、863計劃項目、國家自然科學基金重點項目、重大儀器專項項目和麪上項目等。另外，已發表學術文章200餘篇，申請發明專利160餘項。

1．國家02科技重大專項：“22納米關鍵工藝技術先導研究與平台建設”（批准號：2009ZX02035），課題負責人，已結題；

2．國家02科技重大專項：“16-14nm基礎技術研究”(批准號：2013ZX02303)，技術骨幹，已結題；

3．國家02科技重大專項：“32-22nm柵刻蝕機產品研發及產業化”，（批准號：2011ZX02101），課題負責人，已結題；

4．國家02科技重大專項：“20-14nm產品工藝開發”（批准號：2014ZX02301），子課題負責人，在研；

5．國家02科技重大專項：“7-5nm集成電路先導工藝與系統集成新技術”（批准號：2017ZX02315），課題負責人，在研；

6．863計劃項目：“14nm以下技術代硅基新器件及工藝技術研究”（批准號：2015AA016501），課題負責人，已結題；

7．國家自然基金重大儀器專項：“新型GaN電子器件低界面態介質生長系統”（批准號：61527816），項目負責人，在研；

8．國家自然科學基金重點項目：“鉿基金屬氧化物高k柵介質的基礎研究”（批准號：50932001），課題負責人，已結題；

9．國家自然科學基金面上項目：“基於臭氧技術的Ge基高介電常數柵介質MOS器件的基礎研究：界面特性、柵電荷分佈及起源、遷移率散射機制”，（批准號：61574168），項目負責人，已結題；

10．國家自然科學基金面上項目：“高k柵介質/金屬柵結構CMOS器件的界面特性與有效功函數控制技術的基礎研究”，（批准號：61176091），項目負責人，已結題；

11．教育部留學人員回國啓動基金：“納米尺度CMOS器件金屬柵極的製備和高k/金屬柵集成與閾值電壓控制技術”，項目負責人，已結題；

12．中科院C類戰略性先導預研項目：“3-1nm集成電路新器件與先導工藝”（批准號：XDAY0701），項目負責人，在研。　 ^[3]