王圩

1937年12月25日，王圩出生於河北省廊坊市文安縣。

1960年，從北京大學物理系半導體物理專業畢業，到中國科學院半導體研究所工作，先後擔任半導體所學術委員會副主任、光電子中心副主任。

1987年，赴日本東京工業大學訪問研究一年。

1988年，擔任中國科學院半導體研究所研究員。

1997年，當選為中國科學院院士 ^[1]  。

2023年1月26日，王圩因病醫治無效，在北京逝世，享年86歲。 ^[8] 

王圩早期從事無位錯硅單晶和Ⅲ—Ⅴ族化合物異質結液相外延研究，為使中國砷化鎵基激光器從液氮温度提高到室温工作做出了貢獻。1979年開始從事長波長鎵銦砷磷四元雙異質結激光器和動態單頻激光器研究，其中代表性成果包括應變層多量子阱分佈反饋激光器、反位相增益耦合型分佈反饋激光器及其與扇形放大器單片集成的主振功放器件等 ^[1]  。

根據2021年8月何梁何利基金網站顯示，王圩先後發表相關論文99篇 ^[7]  。

根據2021年8月何梁何利基金網站顯示，王圩先後獲得中國材料研究學會科學技術一等獎一次；國家科技進步獎二等獎兩次；中國科學院科技進步獎一等獎一次、二等獎兩次；國家“六.五”攻關獎一次；凝鍊出了40項相關發明專利技術（已獲國家發明專利授權16項） ^[7]  。

根據2021年8月何梁何利基金網站顯示，王圩先後培養的5名碩士、22名博士研究生中，有兩名獲得中國科學院院長獎，一名獲得教育部寶鋼獎 ^[7]  。

王圩的招生專業是：微電子學與固體電子學、物理電子學 ^[5]  。

王圩的招生方向是：基於InP光電子器件的集成、半導體激光器 ^[5]  。

王圩教授《光子集成芯片材料與器件進展》《光子芯片集成材料與器件進展》課程 ^[5]  。

王圩和夫人吳德馨都是20世紀60年代初大學畢業，學的都是半導體，一畢業就都分到了中科院半導體研究所。王圩1960年大學畢業，吳德馨1961年大學畢業，吳德馨於1991年當選為中國科學院學部委員（院士） ^[6]  。

王圩為中國光纖通信用半導體光電子器件的發展做出了貢獻 ^[1]  。（中國科學院評）

王圩為中國半導體光電子科技事業及其產業化發展做出的系統性和創新性的突出貢獻，勇於創新、鋭意進取的科學精神，愛國奉獻、平易近人的高尚品德，以及為國家科學思想庫功能發揮和在青年科技人才培養方面取得的突出成績。（2017年12月24日中國科學院院長、黨組書記白春禮在賀信中評）

王圩院士的一生，是無私奉獻的一生，是光榮偉大的一生，他對國家和人民無限忠誠，將畢生精力奉獻給了我國科技與教育事業。他富有遠見卓識和開創精神，以國家的重大需求為目標，為我國的半導體事業作出重大貢獻。他嚴於律己，克已奉公，治學嚴謹，為人謙和。他的業績和品德，為中國科技事業樹立了一座不朽的豐碑，他崇高的科學精神和道德風範永遠值得我們學習和敬仰！（王圩院士治喪委員會評） ^[8] 

2017年12月24日，中國科學院半導體研究所學術會議中心舉行王圩院士從事科研工作60週年暨DFB組成立30週年學術交流會 ^[3]  。