吳德馨

吳德馨(6張)

1936年12月20日，吳德馨出生於河北樂亭。

1961年，畢業於清華大學無線電電子工程系 ^[10]  ，畢業後分配至中國科學院半導體研究所工作。

1986年，調入新成立的中國科學院微電子中心（現中國科學院微電子研究所） ^[6]  。

1986年—1989年，擔任中國科學院微電子中心第一屆副主任。

1991年—1997年，擔任中國科學院微電子中心第二屆、第三屆主任 ^[4]  。

1991年，當選為中國科學院學部委員（院士） ^[3]  。

1992年，被中華人民共和國國家科學技術委員會聘為“深亞微米結構器件和介觀物理”項目首席科學家。

吳德馨系統地研究成功第一代半導體硅雙極型、MOS場效應型晶體管和大規模集成電路、第二代砷化鎵異質結場效應和雙極型晶體管與集成電路以及第三代氮化鎵異質結場效應晶體管等，產生了重要的經濟和社會效益 ^[6]  。

20世紀60年代初期，吳德馨作為主要負責人之一，在中國國內首先研究成功硅平面型高速開關晶體管，所提出的提高開關速度的方案被廣泛採用，並向全國推廣。20世紀60年代末期研究成功介質隔離數字集成電路和高阻抗運算放大器模擬電路。

20世紀70年代末期，吳德馨研究成功MOS4K位動態隨機存儲器。在中國國內首先將正性膠光刻和幹法刻蝕等技術用於大規模集成電路的研製，並進行了提高成品率的研究。首先在中國國內突破了大規模集成電路（LSI）低下的局面。隨後又相繼研究成功16K位和64K位動態隨機存儲器。開發成功雙層多晶硅和差值氧化工藝，獨創了檢測腐蝕接觸孔質量的露點法。

20世紀80年代末期，吳德馨自主開發成功3微米CMOS LSI全套工藝技術，用於專用電路的製造。研製成功多種專用集成電路並研究開發成功VDMOS系列功率場效應器件和砷化嫁異質結高電子遷移率晶體管。

20世紀90年代，吳德馨研究成功0.8微米CMOS LSI工藝技術，和0.1微米T型柵GaAsPHEMT器件 ^[1]  。

根據2021年3月何梁何利基金網站顯示，吳德馨先後編著三部、發表論文數十篇 ^[6]  。

根據2021年3月何梁何利基金網站顯示，吳德馨先後獲得國家新產品一等獎和國家科技進步二等獎各1項、中國科學院和北京市科技進步一等獎4項、中國科學院科技進步二等獎2項 ^[6]  。

根據2021年3月何梁何利基金網站顯示，吳德馨先後培養研究生二十餘名 ^[6]  。

2020年，吳德馨所在的中國科學院微電子研究所集成電路核心技術創新團隊獲得2019年度中國電子信息科技創新團隊獎 ^[2]  。

2010年2月9日，吳德馨參加中國科學院微電子研究所七室舉行“前沿與創新”學術研討活動，她對七室未來的發展方向提出了建議並結合自身的科研經歷向大家提出了要求，她鼓勵科研人員要熱愛本職工作、體會其中的樂趣，要勤于思考、紮紮實實做研究，要有高度的責任心、團隊合作和互助精神，要在研究過程中有所突破，有所創新 ^[5]  。

吳德馨對中國半導體晶體管和集成電路的發展作出了重要的貢獻 ^[6]  。（何梁何利基金評）

吳德馨完成了半導體平面型高速開關晶體管的研究，打破了中國國外封鎖，為中國開關管的自給打下了基礎，組織和領導了2微米2000門門陣列的研究，並獲得成功，為發展中國微電子技術做出了貢獻 ^[11]  。（中國人大網評）