複製鏈接
請複製以下鏈接發送給好友
https://baike.baidu.hk/item/王佔國/75610
複製
複製成功

王佔國

（半導體材料及材料物理學家，中國科學院院士）

鎖定
王佔國，男，1938年12月生，河南省鎮平人，半導體材料及材料物理學家，中國科學院院士，中國科學院半導體研究所研究員、博士生導師。 [1] 
王佔國1962年畢業於南開大學物理系，同年到中國科學院半導體所工作。曾任中科院半導體所副所長，國家高技術新材料領域專家委員會委員、常委、功能材料專家組組長。1995年當選為中國科學院院士。 [2] 
王佔國長期從事半導體材料光電性質、半導體深能級和光譜物理研究，砷化鎵材料與器件關係研究，半導體低維結構材料與量子器件研究等工作。 [3] 
中文名
王佔國
國    籍
中國
民    族
漢族
出生地
河南省南陽市
出生日期
1938年12月29日
畢業院校
南開大學
職    業
教育科研工作者
代表作品
《納米半導體技術》《半導體材料研究進展》
主要成就
中國科學院院士（1995年當選）

目錄

  1. 1 人物經歷
  2. 2 主要成就
  3. ▪ 科研成就
  1. ▪ 人才培養
  2. ▪ 榮譽表彰
  3. 3 社會任職
  1. 4 人物評價

王佔國人物經歷

1938年12月，王佔國出生於河南鎮平縣。
1962年，畢業於南開大學物理系，同年到中國科學院半導體所工作。
1980年至1983年，王院士赴瑞典隆德大學固體物理系，從事深能級物理和光譜物理研究。
1986年，任中國科學院半導體所研究員，材料室主任。
1990年，被批准為博士生導師。
1990年至1994年，任中國科學院半導體所副所長。 [4] 
王佔國院士 王佔國院士

王佔國主要成就

王佔國科研成就

  • 科研綜述
王佔國院士 王佔國院士
據2020年6月中國科學院半導體所官網顯示，王佔國長期從事半導體材料和材料物理研究。從1980年起，主要從事半導體深能級物理和光譜物理研究，提出了識別兩個深能級共存系統兩者是否是同—缺陷不同能態的新方法，解決了國際上對GaAs中A、B能級和硅中金受主及金施主能級本質的長期爭論。提出混晶半導體中深能級展寬和光譜譜線分裂的物理模型，解釋了它們的物理起因。提出了GaAs電學補償五能級模型和電學補償新判據。協助林蘭英先生，首次在太空從熔體中生長了GaAs單品並對其光電性質作了系統研究。近年來，領導的實驗組又在應變自組裝In(Ga)As/GaAs，In(Ga)As/InAlAs/InP等量子點（線）與量子點（線）超晶格材料和量子級聯激光器和探測器材料生長和大功率量子點激光器、量子級聯激光器和探測器以及太赫茲激光器研製方面獲得突破。最近，又提出了柔性襯底的概念，開拓了大失配材料體系研製的新方向。 [5] 
  • 科技成果獎勵
獲獎項目
獲獎年份
獲獎級別
自組織生長量子點激光材料和器件研究
2001
國家自然科學二等獎
-
1990
國家科技進步三等獎
-
2000
中國科學院自然科學一等獎
-
1989
中國科學院科技進步一等獎
-
1995、1997
中國科學院科技進步二等獎
-
1990
中國科學院科技進步三等獎
-
-
國家重點科技攻關獎
參考資料： [5-6] 
  • 承擔項目
來源
名稱
備註
時限
國家重點基礎研究發展規劃項目
信息功能材料相關基礎問題
首席科學家
2000年10月-2005年9月
國家重點基礎研究發展規劃項目
應變自組織量子點、量子線材料的可控生長和器件應用
負責人
2006年9月-2011年9月
國家自然科學基金重大研究計劃重點課題
半導體量子點中間帶光伏電池基礎研究
學術骨幹
2014年9月-2018年9月
國家自然科學基金重大項目子課題
有機/無機複合半導體複合光伏器件結構設計、製備與性質研究
負責人
2010年1月-2013年12月
參考資料： [5] 
  • 學術論著
據2020年6月中國科學院半導體所官網顯示，王佔國先後與合作者一起在國際學術刊物發表論文200餘篇。 [5] 
王佔國院士
王佔國院士(3張)
1. 王佔國,陳立泉,屠海令.中國材料工程大典（第11～13卷）[M].北京：化學工業出版社，2006.
2. 王佔國,陳湧海,葉小玲等..納米半導體技術[M].北京：化學工業出版社，2006.
3. 王佔國,鄭有炓等.半導體材料研究進展[M].北京：高等教育出版社，2012.
4.Zhang Z Y, Zhanguo Wang (Z.G.Wang), Xu B, et al. High-performance quantum-dot superluminescent diodes[J]. Photonics Technology Letters, IEEE, 2004, 16(1): 27-29.
5. X.Q. Lv, N.Liu, P.Jin, and Zhanguo Wang (Z.G.Wang), Broadband emitting superluminescent diodes with InAs quantum dots in AlGaAs matrix. IEEE Photonics Technology letters, 2008, vol.20, No.20. 1742.
6. Yang A L, Song H P, Wei H Y, et al. Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy[J]. Applied Physics Letters, 2009, 94(16): 163301.
7. Yu Liu, Yonghai Chen, Zhanguo Wang (Z.G.Wang), 2010， Photoexcited charge current for the presence of pure spin current, Appl. Phys. Letts. 96, 262108
8.C.L.Zhang, Zhanguo Wang (Z.G.Wang) Y.H.Chen et al, Site controlling of InAs quantum wires on cleaved edge of AlGaAs/GaAs superlattice, Nanotechnology, 2005, 16(8): 1379
9.Baochang Cheng, Zhanguo Wang (Z.G.Wang), Synthesis and Optical Properties of Europium-doped ZnS Long-Lasting Phosphorescence from Aligned Nanowires, Advanced functional materials, 2005, 15: 1883-1890
10.王佔國. 微電子技術極限對策探討[J].中國科學院院刊,2007, 22(6):480.
11. Meng X Q, Chen Z Q, Jin P, et al. Defects around self-organized InAs quantum dots measured by slow positron beam[J]. Applied Physics Letters, 2007, 91(9): 093510.
12. Lv X Q, Liu N, Jin P, et al. Broadband emitting superluminescent diodes with InAs quantum dots in AlGaAs matrix[J]. Photonics Technology Letters, IEEE, 2008, 20(20): 1742-1744.
13. Zhang Z Y, Hogg R A, Xu B, et al. Realization of extremely broadband quantum-dot superluminescent light-emitting diodes by rapid thermal-annealing process[J]. Optics letters, 2008, 33(11): 1210-1212.
14.W.Lei, Y.H.Chen, Zhanguo Wang (Z.G.Wang), Review paper：Ordering of Self-Assembled Quantum Wires on InP(001) Surfaces. One-Dimensional Nanostructures，Chapter 12: 291，Springer. Editor: Z.M.Wang. 2007
15. Wu J, Chen Y H, Zhanguo Wang (Z.G.Wang). Epitaxial Semiconductor Quantum Wires[J]. Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2008, 8(7): 3300-3314.
16. Chen J Y, Liu J, Wang T, et al. Monolithically integrated terahertz quantum cascade array laser[J]. Electronics letters, 2013, 49(25): 1632-1633.
17.Liang J, Hongling X, Xiaoliang W, et al. Enhanced performance of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with patterned sapphire substrate[J]. Journal of Semiconductors, 2013, 34(12): 124004.
18. Chi D, Qu S, Zhanguo Wang (Z.G.Wang), et al. High efficiency P3HT: PCBM solar cells with an inserted PCBM layer[J]. Journal of Materials Chemistry C, 2014, 2(22): 4383-4387.
19. Chi D, Qi B, Wang J, et al. High-performance hybrid organic-inorganic solar cell based on planar n-type silicon[J]. Applied Physics Letters, 2014, 104(19): 193903.
20. Qu S, Wang X, Xiao H, et al. Analysis of transconductance characteristic of AlGaN/GaN HEMTs with graded AlGaN layer[J]. The European Physical Journal Applied Physics, 2014, 66(02): 20101.
21. Li H, Liu X, Sang L, et al. Determination of polar C‐plane and nonpolar A‐plane AlN/GaN heterojunction band offsets by X‐ray photoelectron spectroscopy[J]. physica status solidi (b), 2014, 251(4): 788-791.
22. Feng Y, Liu G, Yang S, et al. Interface roughness scattering considering the electrical field fluctuation in undoped AlxGa1− xN/GaN heterostructures[J]. Semiconductor Science and Technology, 2014, 29(4): 045015.
23. Liu K, Qu S, Zhang X, et al. Sulfur-doped black silicon formed by metal-assist chemical etching and ion implanting[J]. Applied Physics A, 2014, 114(3): 765-768.
24. Liu Y, Chen Y, Wang C, et al. Effective period potential in a hybrid mesoscopic ring with Rashba spin–orbit interaction[J]. Physics Letters A, 2014, 378(5): 584-589.
25. Tan F, Qu S, Wang L, et al. Core/shell-shaped CdSe/PbS nanotetrapods for efficient organic–inorganic hybrid solar cells[J]. Journal of Materials Chemistry A, 2014, 2(35): 14502-14510.
26. Yong-Zheng H, Feng-Qi L, Li-Jun W, et al. Confined and Interface Phonons in Chirped GaAs-AlGaAs Superlattices[J]. Chinese Physics Letters, 2014, 31(6): 064211.
27. He K, Quan W, Hong-Ling X, et al. High-Voltage AlGaN/GaN-Based Lateral Schottky Barrier Diodes[J]. Chinese Physics Letters, 2014, 31(6): 068502.
28. Fang-Liang Y, Jin-Chuan Z, Dan-Yang Y, et al. Design and Fabrication of Six-Channel Complex-Coupled DFB Quantum Cascade Laser Arrays Based on a Sampled Grating[J]. Chinese Physics Letters, 2014, 31(1): 014209.
29. Heng Z, Shao-Yan Y, Gui-Peng L, et al. Mobility limited by cluster scattering in ternary alloy quantum wires[J]. Chinese Physics B, 2014, 23(1): 017305.
30.Jian-Xia W, Lian-Shan W, Shao-Yan Y, et al. Effects of V/III ratio on a-plane GaN epilayers with an InGaN interlayer[J]. Chinese Physics B, 2014, 23(2): 026801.
31. Tan F, Qu S, Yu P, et al. Hybrid bulk-heterojunction solar cells based on all inorganic nanoparticles[J]. Solar Energy Materials and Solar Cells, 2014, 120: 231-237. [5] 

王佔國人才培養

  • 培養理念
王佔國在科研方面的體會：一是作為科技工作者要實事求是、堅持真理；二是不盲從權威，敢於挑戰科學難題；三是要有不恥下問、打破砂鍋問到底的精神。 [5] 
  • 培養成果
據2020年6月中國科學院半導體所官網顯示，王佔國先後培養碩士、博士和博士後百餘名。 [5] 

王佔國榮譽表彰

1995年當選為中國科學院院士。
2001年獲得何梁何利科學與技術進步獎。 [2] 

王佔國社會任職

王佔國曾任國家高技術新材料領域專家委員會委員、常委、功能材料專家組組長。
據2020年6月西安交通大學官網顯示，王佔國任半導體材料科學重點實驗室學委會主任、中國電子學會半導體和集成技術分會主任、中國材料研究學會副理事長、國家自然科學基金重大研究計劃"光電信息功能材料"專家組副組長、北京市人民政府第八屆專家顧問團顧問、天津市人民政府特聘專家和多個國際會議顧問委員會委員以及多所高校特聘和兼職教授。 [2] 
2022年3月12日，王佔國院士團隊與鎮平縣人民政府、中光學集團、南陽人才發展集團簽約，共建院士工作站。 [9] 

王佔國人物評價

王院士在半導體材料和材料物理領域取得了傑出的成就。在早期職業生涯中，他致力於人造衞星用硅太陽能電池輻照效應以及和電子材料、器件和組件的靜態、動態和核瞬態輻照效應研究，為中國的兩彈一星事業做出了貢獻。 [7]  （《半導體學報》評）
王佔國院士為中國半導體材料和材料物理研究方面做出的系統性和創新性的突出貢獻，擁有堅持不懈、鋭意進取的科學精神和愛國奉獻、平易近人的優秀品質，為學部發展、國家科學思想庫建設和在青年科技人才培養方面取得了突出成績。 [8]  （中國科學院院長、黨組書記白春禮評）
“近60年來，王佔國院士在半導體材料科學研究等方面取得了一系列重大成果，為國家半導體科技事業的發展做出了突出貢獻；王佔國院士心繫國家和半導體所的發展，為我國科技事業和半導體所的發展建言獻策；王佔國院士以教育為己任，甘為人梯、提攜後進，為國家培養和造就了一大批優秀科技人才。他還回顧了自己1993年作為博士生進入半導體所時，王佔國院士對他的深切教誨，指出王佔國院士堅持真理的科學精神、報效祖國的愛國情操和淡泊名利的崇高品格為我們樹立了楷模，是我們晚輩後學的寶貴財富。” [8]  （中科院副院長、中國科學院大學黨委書記、校長李樹深院士評）
“近60年來，王院士以強烈的事業心、責任感、使命感，為我國半導體材料學科建設和技術創新做出了傑出貢獻，而且毫無保留的將自己的學識、經驗、成果奉獻、傳授給年輕一代，為推進人才培養做出了卓越貢獻。” [8]  （中國科學院半導體所副所長祝寧華評）
參考資料