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李志堅

（中國科學院院士、微電子技術專家）

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李志堅（1928年5月1日—2011年5月2日），男，漢族，浙江寧波人。微電子技術專家，中國科學院院士，清華大學教授、半導體教研組主任、微電子學研究所長。 [1] 
李志堅於1951年畢業於浙江大學物理系；1958年獲列寧格勒國立大學物理—數學副博士學位，回國後在清華大學任教；1991年當選為中國科學院學部委員（院士）；2011年5月2日逝世，享年83歲。 [1] 
李志堅主要從事半導體和微電子科技方面的研究。 [1] 
中文名
李志堅
國    籍
中國
民    族
漢
出生地
浙江寧波
出生日期
1928年5月1日
逝世日期
2011年5月2日
畢業院校
列寧格勒國立大學
職    業
教育科研工作者
主要成就
1991年當選為中國科學院院士（學部委員）

目錄

  1. 1 人物生平
  2. 2 主要成就
  3. ▪ 科研成就
  1. ▪ 人才培養
  2. ▪ 榮譽表彰
  3. 3 社會任職
  1. 4 人物評價

李志堅人物生平

1928年5月1日，李志堅出生於浙江寧波北侖區柴橋鎮。 [6] 
1934年，入讀北侖柴橋小學。 [12] 
1940年，入讀鎮海中學。 [12] 
1951年，本科畢業於浙江大學物理系，同年入同濟大學物理系任助教。 [6] 
1953年，進入列寧格勒國立大學（今俄羅斯彼得堡大學）物理系研究生學習。 [6] 
1958年初，獲列寧格勒國立大學物理—數學副博士學位，回國後在清華大學任教。 [6] 
1991年，當選為中國科學院學部委員（院士）。 [1] 
2011年5月2日凌晨，因病逝世。 [1] 
李志堅

李志堅主要成就

李志堅科研成就

  • 科研綜述
20世紀50年代初，李志堅在半導體薄膜光電導和光電機理研究中，提出電子晶粒間界理論，在此基礎上研製成高信噪比硫化鉛紅外探測器。1959年研製成高超純多晶硅。20世紀60年代從事硅器件研究，其中平面硅工藝及高反壓硅高頻三極管成果，促進了中國國內有關的研究和生產。1977年以後主要從事大規模、超大規模集成技術及器件物理的研究，領導、指導和直接參與了多種靜態存儲器，8位、16位高速微處理器、電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）和1兆位漢字ROM等超大規模集成電路芯片的研製工作，並取得成功。同時開發出3微米和1微米成套工藝技術。指導併發明半導體紅外高速退火技術和設備。 [1] 
  • 學術論著
截至2016年11月，李志堅主編出版了《半導體材料硅》《MOS大規模集成技術》《微電子技術中的MOS物理》等書，在中國國內外發表了論文200餘篇。 [6] 
  1. MOS大規模集成技術進展.見:MOS大規模集成技術（上冊）[M].北京:科學出版社，1984.
  2. 硅耗盡層少於產生率的強電場效應[J].半導體學報，1985，6(1):1.
  3. 硅耗盡層準二維繫統室温電子隧道能譜[J].半導體學報 ,1985, 6(3):236.
  4. MOS 界面電荷瞬態譜方法[J].半導體學報.1985，6(5):458.
  5. MOS 技術中的 Si-Si02介面物理.見:半導體器件研究與發展[M].北京:科學出版社，1988.
  6. 一種新的 MOS 電流型邏輯電路[J].電子學報 ，1988，10(2)，51.
  7. VLSI 成品率統計中的缺陷成因效應及統計參數與面積的關係[J].半導體學報，1988,9(3):245.( 合作者 : 張鍾宣 )
  8. 一種新的有溝道注入的短溝 MOSFET 的調電壓解析模型[J] .電子學報，1990，18(11): 9.( 合作者 : 陳文同 )
  9. A novel pressure sensor structure for integrated sensor Sensots and Actuatore[J]. 1990, (A21-23):62.(with Wang Yuelin,Liu Litian).
  10. Defect free silicon film on silion dioxide formed by some melting recrystallization with high apeed, IEEE Trane, on Electron Devices[J].1990,ED37:952.(with Liu Lianjun, Qian Peixin).
  11. 90年代的微電子技術[J].中國科學院院報，1991(1):23.
  12. 一種基於浮柵 NMOS 晶體管的可編程神經網絡芯的設計和應用[J]，電子學報 ,1992,20(10):48.
  13. 滑雪崩應力下熱電子注入引起的 MOSFET 退變特性研究[J].半導體學報 ,1993,14,12:723.( 合作者 : 程玉華、要瑞偉 ).
  14. The on-ehip detection of micromotor rotational speed.Sensors and Actuators[J],1995,A48:81.(with Sun Xiqing,Liu Litian).
  15. 一種對稱高分辨精度的多端電流 MAX 門和 MIN 門電路[J].半導體學報，1995,16,6:453.( 合作者 : 李斌橋、石秉學 ).
  16. New methods for measuring mechanical properties of thin films in micro-machining, beam pull-in voltage (VPI)method and long beam deflection (LBD)method.Sensors and Actuators[J],1995,A48:137.(with Li Binqiao,shi Bingxue).
  17. BMHMT----Bi-MOS 混合模式晶體管[J].電子學報，1995,23,11:11.( 合作者 : 陳萍、劉理天 )
  18. 一種模擬集成電路 Hamming 神經網絡及其應用[J].半導體學報，1996，17(3):217.( 合作者 : 李斌橋、石秉學 ).
  19. Design and fabrication of single wafer silicon condensor microphone using corrugated diaphragm.IEEE J.of MEMS[J],1996:5(3).(with Zou Quanbo,Liu Litian).
  • 科研成果獎勵
獲獎時間
獲獎項目
獎項等級
1987年7月
大規模、超大規模集成電路研製及3微米工藝技術開發
國家科學技術進步二等獎 [2] 
1991年10月21日
離子注入半導體瞬時退火設備 [4] 
中國專利金獎
1993年12月1日
1-1.5微米成套工藝開發及一兆位漢字庫只讀存儲器
國家科學技術進步一等獎 [3] 

李志堅人才培養

  • 學生培養
李志堅長期在高等學校任教，是解放後中國首批博士生導師，培養了許多微電子和其他方面的優秀人才。 [6]  他培養的學生有很多，如中國科學院微電子所的吳德馨院士和中國科學院半導體所的鄭厚植院士，如創辦展訊通信有限公司並獲國家科技進步一等獎的陳大同博士和數次擔任國家科技部973項目首席科學家的中科院微電子系統所王躍博士。 [8] 
  • 教授課程
李志堅的教授課程凝聚態物理。 [10] 
  • 研究領域
李志堅的研究領域為半導體物理。 [10] 

李志堅榮譽表彰

獲獎時間
獎項
頒發單位
1979年
北京市勞動模範 [6] 

1979年12月
全國勞動模範 [6] 

1984年
國家級有突出貢獻的中青年專家 [8] 

1991年
中國科學院學部委員（院士） [1] 
中華人民共和國國務院
1997年
陳嘉庚信息科學獎 [7] 

2000年
何梁何利基金科學與技術進步獎 [5] 

2003年
清華大學“教書育人獎”

李志堅社會任職

任職時間
任職職務
1983年
中國電子學會副理事長 [6] 
2001年
《電子學報》編委 [7] 

中華人民共和國國務院學術委員會專業評議組成員 [6] 

中國科學技術協會委員 [6] 

中國電子學會榮譽會員 [7] 

國家科學技術名詞委員會委員 [7] 

中國微納米技術學會名譽副理事長 [7] 

《半導體學報》編委 [7] 

《傳感技術學報》編委 [7] 

中國半導體行業協會副主任委員 [9] 

國家表面物理實驗室等學術委員會主任 [11] 

國家超晶格實驗室學術委員會主任 [11] 

李志堅人物評價

李志堅是中國MEMS和SOC技術研究的先驅者，六十年的學術生涯，是他從一個立志報國的青年成長為一名傑出的微電子學專家的歷程。（科普中國評） [5] 
李志堅是中國硅基半導體科學研究的奠基人和開創者。（中國科學院學部評） [9] 
李志堅對科研方向的準確把握，受到他的領導和同事的廣泛稱讚，他身上的謙遜和豁達是他一生中遇到挫折的淬鍊，而他的宏大和敏鋭則成就了他一生的功業。（中國科學報評） [12] 
參考資料
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