掩模版

每個芯片上的實際電路結構是用掩模版和光刻技術製作形成的。掩模版是器件或部分器件的物理表示。掩模版上的不透明部分是用紫外線吸收材料製作的。光敏層即光刻膠被預先噴到半導體表面。

掩模和光刻工藝是很關鍵的，因為他們決定着器件的極限尺寸。除了紫外線，電子束和X射線也能用來對光刻膠進行曝光 ^[1]  。

掩模版的性能直接決定了光刻工藝的質量。在投影式光刻機中，掩模版作為一個光學元件位於會聚透鏡（condenser lens）與投影透鏡（projection lens）之間，它並不和晶圓有直接接觸。掩模版上的圖形縮小4~10倍（現代光刻機一般都是縮小4倍）後投射在晶圓表面。為了區別於接觸式曝光中使用的掩模版投影式曝光中使用的掩模又稱為倍縮式掩模（reticle） ^[2]  。