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後道工序

鎖定
集成電路是依靠所謂的平面工藝一層一層製備起來的。對於邏輯器件,簡單地説,首先是在 Si襯底上劃分製備晶體管的區域(active area),然後是離子注入實現N型和P型區域,其次是做柵極,隨後又是離子注入,完成每一個晶體管的源極(source)和漏極(drain)。這部分工藝流程是為了在 Si 襯底上實現N型和P型場效應晶體管,又被稱為前道工藝(front end of line,FEOL)。與之相對應的是後道(back end of line,BEOL)工藝,後道實際上就是建立若干層的導電金屬線,不同層金屬線之間由柱狀金屬相連。
中文名
後道工序
外文名
Back end of line
英文縮寫
BEOL
[1]  大多選用 Cu 作為導電金屬,因此後道又被稱為 Cu 互聯(interconnect)。這些銅線負責把襯底上的晶體管按設計的要求連接起來,實現特定的功能。圖1是一個邏輯器件的剖面示意圖。新的集成技術在晶圓襯底上也添加了很多新型功能材料,例如:後道(BEOL)的低介電常數(εr < 2.4)絕緣材料,它是多孔的能有效降低後道金屬線之間的電容 [2]  。由於對Low-K材料的要求不斷提高,僅僅進行單工程開發評估是不夠的。為了達到總體最優化,還需要進行綜合評估,以解決多步驟的問題 [1] 
後道工序 後道工序
圖1 一個邏輯器件的剖面示意圖
參考資料
  • 1.    LI-Hung Chen,後道工藝整合,半導體技術(中文期刊),2003,78-78
  • 2.    韋亞一.超大規模集成電路先進光刻理論與應用.北京:科學出版社,2016:3-3,424-424