漏極

一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。它屬於電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（10⁸～10⁹Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

在兩個高摻雜的P區中間，夾着一層低摻雜的N區（N區一般做得很薄），形成了兩個PN結。在N區的兩端各做一個歐姆接觸電極，在兩個P區上也做上歐姆電極，並把這兩P區連起來，就構成了一個場效應管 ^[1]  。

將兩個P區的引出線連在一起作為一個電極，稱為柵極，在N型硅片兩端各引出一個電極，分別稱為源極和漏極，很薄的N區稱為導電溝道。共漏極放大電路——源極輸出器。

柵極簡稱為G，源極簡稱為S，漏極簡稱為D ^[2]  。

1.利用外部電路的驅動能力，減少IC內部的驅動， 或驅動比芯片電源電壓高的負載。  

2.可以將多個開漏輸出的Pin，連接到一條線上。通過一隻上拉電阻，在不增加任何器件的情況下，形成“與邏輯”關係。這也是I2C，SMBus等總線判斷總線佔用狀態的原理。  

3.由於漏級開路，所以後級電路必須接一上拉電阻，上拉電阻的電源電壓就可以決定輸出電平。這樣就可以進行任意電平的轉換了。  

4.源極開路提供了靈活的輸出方式，但是也有其弱點，就是帶來上升沿的延時。因為上升沿是通過外接上拉無源電阻對負載充電，所以當電阻選擇小時延時就小，但功耗大；反之延時大功耗小。所以如果對延時有要求，則建議用下降沿輸出 ^[3]  。