張寶林

1986年獲吉林大學半導體系半導體物理與器件物理專業理學學士學位，1989年獲同專業理學碩士學位；同年進入中國科學院長春物理研究所從事III－V族半導體材料的MOCVD生長研究及器件研究工作，1999年於中國科學院長春物理所獲凝聚態物理專業理學博士學位；1999年－2000年獲英國皇家學會The Royal Society Royal Fellowships, 在英國牛津大學物理系做博士後，從事中紅外銻化物半導體材料低維結構的MOCVD生長研究及其光電特性研究；2001年－2003年在新加坡南洋理工大學從事大功率半導體量子阱激光器陣列結構的MOCVD生長和器件研究工作。2003年9月到吉林大學電子科學與工程學院工作。

一、寬禁帶半導體發光材料及其器件研究：ZnO材料的MOCVD生長研究，材料及其結構的特性研究，ZnO LED、LD器件製備及其性能研究 。 二、中紅外半導體材料及其器件研究：III－V族銻化物的MOCVD生長研究，材料及其結構的特性研究，紅外探測器及熱光伏器件（光電池）製備及其性能研究。

三、高温超導體膜的MOCVD製備與應用。