刻蝕速率

刻蝕窗口的深度稱為台階高度。為了高的產量，希望又高的刻蝕速率。在採用單片工藝的設備中，這是一個很重要的參數。刻蝕速率由工藝和設備變量決定，如被刻蝕材料類型、刻蝕機的結構配置、使用的刻蝕氣體和工藝參數設置。刻蝕速率用下式來計算：

刻蝕速率=ΔT/t（Å/min）；

其中，ΔT=去掉的材料厚度（Å或μm），t=刻蝕所用的時間（分）

刻蝕速率通常正比於刻蝕劑的濃度。硅片表面幾何形狀等因素都能影響硅片與硅片之間的刻蝕速率。要刻蝕硅片表面的大面積區域，則會耗盡刻蝕劑濃度使刻蝕速率慢下來；如果刻蝕的面積比較小，則刻蝕就會快些。 ^[1] 

硅晶圓片製造中通常要求獲得高的刻蝕速率，然而太高的刻蝕速率可能使工藝難以控制。 ^[2] 

通常需要的刻蝕速率為每分鐘幾百或幾千個埃。當一批硅晶圓片被同時刻蝕時，刻蝕速率會小於單片的刻蝕速率。 ^[3]