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內存超頻

鎖定
內存超頻,是讓內存外頻運行在比它被設定運行的更高的速度下,可以使用增加電壓的方法。
中文名
內存超頻
概    念
內存外頻運行快過設定運行的速度
一般情況
CPU外頻與內存外頻是一致的
方    法
增加電壓

內存超頻簡介

我們知道,在一般情況下,CPU外頻與內存外頻是一致的,所以在提升CPU外頻進行超頻時,也必須相應提升內存外頻使之與CPU同頻工作,比如我們擁有一個平台,CPU為Athlon XP 1800+、KT600主板、DDR266內存。Athlon XP 1800+默認外頻為133MHz、默認倍頻為11.5,主頻為1.53G,由於Athlon XP 1800+倍頻被鎖定了,只能通過提升外頻的方法超頻,假如將Athlon XP 1800+外頻提升到166MHz,此時CPU主頻為166MHz×11.5≈1.9GHz。
由於我們將CPU外頻提高到了166MHz,假如你使用的是DDR333以上規格內存,那麼將內存頻率設置為166MHz屬於標準頻率下工作,但這裏使用的是DDR266內存,為了滿足CPU超頻需求,內存也必須由原來的DDR266(133MHz)超頻到DDR333(166MHz)使用。具體方法是進入BIOS設置,找到“Advanced Chipset Features” 選項,然後會看到一個“DRAM Clock”選項,將光標定位到這裏並回車,然後會出現內存頻率設置選項,在這裏我們選擇“166MHz”並回車,保存設置並退出即實現了內存同步超頻。

內存超頻內存異步超頻

在內存同步工作模式下,內存的運行速度CPU外頻相同。而內存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術可令內存工作在高出或低於系統總線速度33MHz或3:4、4:5(內存:外頻)的頻率上,這樣可以緩解超頻時經常受限於內存的“瓶頸”。
對於支持SDRAM內存的老主板而言(如815系列),在支持內存異步的主板BIOS中,可以在“DRAM Clock”下找到“Host Clock”、“Hclk-33M”、“Hclk+33M”三個模式。其中Host Clock為總線頻率和內存工作頻率同步,Hclk-33M表示總線頻率減少33M,而Hclk+33M可以使內存的工作頻率比系統外頻高出33MHz,比如將賽揚1.0G外頻從100MHz超到125MHz,而你的內存為PC133規格(即標準外頻為133MHz),此時在BIOS的“DRAM Clock”下選擇“Hclk+33M”,可以讓賽揚1.0G工作在125MHz外頻下,而內存卻可以在133MHz頻率下運行,充分挖掘內存的超頻潛力並提升系統性能。
而對於支持DDR內存的老主板而言(如845G芯片組),Intel規定845G只支持DDR266(133MHz×2)內存,不過有的品牌845G主板在BIOS中加入內存異步功能(比如微星845G MAX),在BIOS中按照4:5的比例進行設置,可以讓內存運行在166MHz,從而支持DDR333(166MHz×2),並使內存帶寬提升到2.66GB/s。具體操作方式是:進入BIOS設置中,進入“Advanced Chipset Features”的“DRAM Timing Setting”選項,然後進入“DRAM Frequency(內存頻率)”選項,在這裏可以看到266MHz、320MHz、400MHz、500MHz Auto等選項,我們直接選中“320MHz”即可。

內存超頻增加電壓幫助超頻

內存頻率提升了,所以內存功耗也隨之增加,但在默認情況下,主板BIOS中內存電壓參數是被設置為內存標準頻率的數值,通常來説,為了確保內存超頻的穩定性,我們需要增加內存電壓,很多主板BIOS設置中都提供了內存電壓調節功能,同時內存電壓調節級別一般以0.05V或0.1V為檔次逐漸調節,內存電壓參數調節越細微,對超頻越有幫助。
調節內存電壓的方式是進入“Advanced Chipset Features”選項,然後將鼠標光標定位到“Current Voltage”上,在這裏我們看到,該主板內存電壓分了好幾段,電壓調節範圍從1.60V~2.70V,每相鄰的兩項之間的差值為0.1V,我們使用鍵盤上的向上鍵增加電壓,每按一次增加0.1V電壓。需要注意的是,超頻時不要一次將內存電壓提升太高,首先提升0.1V電壓,然後保存退出,進入WINDOWS系統對內存進行性能測試,如果很穩定,可以重新進入BIOS中再次將內存電壓提升0.1V,依次類推,直到自己滿意為止。