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U盤芯片
鎖定
2010年NAND Flash市場的主要成長驅動力是來自於智能型手機和平板計算機，都必須要使用SLC或MLC芯片，因此這兩種芯片都處於缺貨狀態，而TLC芯片卻是持續供過於求，且將整個產業的平均價格往下拉，使得市調機構iSuppli在統計2010年第2季全球NAND Flash產值時，出現罕見的市場規模縮小情況發生，從2010年第1季43億美元下降至41億美元，減少6.5%。
- 中文名
- U盤芯片
- 外文名
- U disk chip
- 種 類
- SLC、MLC和TLC
- 功 用
- 存儲數據
U盤芯片分類
閃存芯片分為三類
SLC、MLC和TLC芯片
什麼是SLC
SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。
SLC技術特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數據時通過對浮置閘極的電荷加電壓，然後透過源極，即可將所儲存的電荷消除，通過這樣的方式，便可儲存1個信息單元，這種技術能提供快速的程序編程與讀取，不過此技術受限於Silicon efficiency的問題，必須要由較先進的流程強化技術(Process enhancements)，才能向上提升SLC製程技術。
什麼是MLC
MLC英文全稱（Multi Level Cell——MLC)即多層式儲存。主要由東芝、Renesas、三星使用。
英特爾（Intel）在1997年9月最先開發成功MLC，其作用是將兩個單位的信息存入一個Floating
Gate（閃存存儲單元中存放電荷的部分），然後利用不同電位（Level）的電荷，通過內存儲存的電壓控制精準讀寫。MLC通過使用大量的電壓等級，每個單元儲存兩位數據，數據密度比較大。SLC架構是0和1兩個值，而MLC架構可以一次儲存4個以上的值，因此，MLC架構可以有比較好的儲存密度。
與SLC比較MLC的優勢
籤於當前市場主要以SLC和MLC儲存為主，我們多瞭解下SLC和MLC儲存，並且可以利用老舊的生產程備來提高產品的容量，無須額外投資生產設備，擁有成本與良率的優勢。
與SLC相比較，MLC生產成本較低，容量大。如果經過改進，MLC的讀寫性能應該還可以進一步提升。
與SLC比較MLC的缺點
MLC架構有許多缺點，首先是使用壽命較短，SLC架構可以寫入10萬次，而MLC架構只能承受約1萬次的寫入。
其次就是存取速度慢，在當前技術條件下，MLC芯片理論速度只能達到6MB左右。SLC架構比MLC架構要快速三倍以上。
再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用條件下比SLC要多15%左右的電流消耗。
雖然與SLC相比，MLC缺點很多，但在單顆芯片容量方面，當前MLC還是佔了絕對的優勢。由於MLC架構和成本都具有絕對優勢，能滿足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市場需求。
U盤中使用的SLC、MLC、TLC閃存芯片的區別
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命，當前還沒有廠家能做到1000次。
需要説明的閃存的壽命指的是寫入(擦寫)的次數，不是讀出的次數，因為讀取對芯片的壽命影響不大。
面是SLC、MLC、TLC三代閃存的壽命差異
SLC 利用正、負兩種電荷 一個浮動柵存儲1個bit的信息，約10萬次擦寫壽命。
MLC 利用不同電位的電荷，一個浮動柵存儲2個bit的信息，約一萬次擦寫壽命，SLC-MLC【容量大了一倍，壽命縮短為1/10】。
TLC 利用不同電位的電荷，一個浮動柵存儲3個bit的信息，約500-1000次擦寫壽命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，壽命縮短為1/20】。
U盤芯片產品現狀
閃存產品壽命越來越短，當前市場上已經有TLC閃存做的產品了
鑑於SLC和MLC或TLC閃存壽命差異太大
強烈要求數碼產品的生產商在其使用閃存的產品上標明是SLC和MLC或TLC閃存產品
