RTA

快速熱退火（rapid thermal annealing）

RTA在現代半導體產業有重要的應用。可以用極快的升温在目標温度（1000℃左右）短暫持續，對硅片進行熱處理。注入硅片的退火經常在注入Ar或者N2的快速熱處理機（RTP）中進行。快速的升温過程和短暫的持續時間能夠在晶格缺陷的修復、激活雜質和最小化雜質擴散三者之間取得優化。RTA還能減小瞬時增強擴散。RTA是控制前結注入中結深最佳方法。