快速熱退火

快速熱退火 (RTA)技術指的是將晶片從環境温度快速加熱至約1000–1500K，晶片達到該温度後會保持幾秒鐘，然後完成淬火。這種技術主要被應用於薄膜晶體管 、太陽電池等器件生產過程中的摻雜、點缺陷退火、雜質激活等高温(＞700 ℃)過程。在低温器件，如玻璃襯底的多晶硅薄膜太陽電池應用中也具有很大的潛力 。

固相晶化非晶硅 (a- S i)薄膜法是一種最常見的間接製備多晶硅薄膜方法 。這種技術的優點是能實現薄膜大面積化，且工藝簡單 。但傳統的電熱爐退火進行固相晶化時，晶化時間長達幾個至幾十個小時，耗能及製造成本高 。而採用 RTA，在較高温度下幾分鐘內就可使非晶硅晶化，而且晶化後的多晶硅膜缺陷較少、內應力小 ^[2]  。