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PbSe

鎖定
PbSe(硒化鉛)是一種具有立方結構窄禁帶的半導體材料,為灰色或灰黑色結晶粉末。立方晶系結構,密度8.10g/cm³。熔點1065℃。溶於硝酸和熱濃鹽酸中,不溶於水。真空中由直接反應,或用還原亞硒酸鉛製取。用於製造光敏電阻紅外檢測器等。
中文名
硒化鉛
結    構
立方晶系
密    度
8.10 g/cm³
化學式
PbSe

目錄

PbSe理化性質

晶格常數:0.6122nm,
常壓下其密度:8.15g/cm
熔點:1065℃
PbSe具有很多獨特的物理性能,如介電常數高,載流子遷移率 [1]  (室温下空穴遷移率約為300cm/(vs)),直接帶隙窄(E0::028 -0.41eV),並具有電子導電性能,即具有金屬特性。這類半導體都是從研究紅外探測器發展起來的。由於這類材料禁帶窄, 具有良好的光電導效應, 噪聲低,對外界條件的影響反應比較靈敏,適用於製造敏感器件。

PbSe應用

近幾年,科學家已經在納米晶PbSe、PbS、PbTe等材料中觀察到了“多載流子效應”,俗稱“雪崩效應”。利用PbSe等納米半導體材料製作的太陽能電池最高理論轉換效率可望達到44%。因此,PbSe納米晶材料在太陽電池材料、光敏傳感器材料、光催化材料等方面具有廣闊的基礎研究及應用前景。
參考資料
  • 1.    斯劍霄,吳惠楨,徐天寧,曹春芳.PbSe外延薄膜空穴遷移率及其聲子散射機理:半導體學報,2007