FBGA封裝

採用BGA技術封裝的內存, 可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍, BGA與TSOP相比, 具有更小的體積, 更好的散熱性能和電性能。BGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了很大提升, 採用BGA封裝技術的內存產品在相同容量下, 體積只有TSOP封裝的三分之一；

另外, 與傳統TSOP封裝方式相比, BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。

BGA發展來的CSP封裝技術正在逐漸展現它生力軍本色, 金士頓、勤茂科技等領先內存製造商已經推出了採用CSP封裝技術的內存產品。

CSP, 全稱為Chip Scale Package, 即芯片尺寸封裝的意思。作為新一代的芯片封裝技術, 在BGA、TSOP的基礎上, CSP的性能又有了革命性的提升。CSP封裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過1：1.14，已經相當接近1：1的理想情況, 絕對尺寸也僅有32平方毫米, 約為普通的BGA的1/3, 僅僅相當於TSOP內存芯片面積的1/6。這樣在相同體積下, 內存條可以裝入更多的芯片, 從而增大單條容量。也就是説, 與BGA封裝相比, 同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍, 圖4展示了三種封裝技術內存芯片的比較, 從中我們可以清楚的看到內存芯片封裝技術正向着更小的體積方向發展。CSP封裝內存不但體積小, 同時也更薄, 其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.2mm, 大大提高了內存芯片在長時間運行後的可靠性, 線路阻抗顯著減小, 芯片速度也隨之得到大幅度的提高。CSP封裝的電氣性能和可靠性也相比BGA、TOSP有相當大的提高。在相同的芯片面積下CSP所能達到的引腳數明顯的要比TSOP、BGA引腳數多的多（TSOP最多304根，BGA以600根為限，CSP原則上可以製造1000根）, 這樣它可支持I/O端口的數目就增加了很多。

此外, CSP封裝內存芯片的中心引腳形式有效的縮短了信號的傳導距離, 其衰減隨之減少, 芯片的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升, 這也使得CSP的存取時間比BGA改善15%－20%。在CSP的封裝 方式中, 內存顆粒是通過一個個錫球焊接在PCB板上, 由於焊點和PCB板的接觸面積較大, 所以內存芯片在運行中所產生的熱量可以很容易地傳導到PCB板上並散發出去；而傳統的TSOP封裝方式, 內存芯片是通過芯片引腳焊在PCB板上的, 焊點和PCB板的接觸面積較小, 使得芯片向PCB板傳熱就相對困難。CSP封裝可以從背面散熱, 且熱效率良好, CSP的熱阻為35℃/W, 而TSOP熱阻40℃/W。

測試結果顯示, 運用CSP封裝的內存可使傳導到PCB板上的熱量高達88.4%, 而TSOP內存中傳導到PCB板上的熱量能為71.3%。另外由於CSP芯片結構緊湊, 電路冗餘度低, 因此它也省去了很多不必要的電功率消耗, 致使芯片耗電量和工作温度相對降低。目前內存顆粒廠在製造DDR333和DDR400內存的時候均採用0.175微米制造工藝, 良品率比較低。而如果將製造工藝提升到0.15甚至0.13微米的話, 良品率將大大提高。而要達到這種工藝水平, 採用CSP封裝方式則是不可避免的。因此CSP封裝的高性能內存是大勢所趨

這種高密度、小巧、扁薄的封裝技術非常適宜用於設計小巧的手持式消費類電子裝置, 如個人信息工具、手機、攝錄一體機、以及數碼相機。

FBGA是底部球型引腳封裝，也就是塑料封裝的 BGA 。

下面介紹下BGA封裝：

20世紀90年代隨着技術的進步，芯片集成度不斷提高，I/O引腳數急劇增加，功耗也隨之增大，對集成電路封裝的要求也更加嚴格。為了滿足發展的需要，BGA封裝開始被應用於生產。BGA是英文Ball Grid Array Package的縮寫，即球柵陣列封裝。

採用BGA技術封裝的內存，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。BGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了很大提升，採用BGA封裝技術的內存產品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一；另外，與傳統TSOP封裝方式相比，BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。

FBGA（通常稱作CSP）是一種在底部有焊球的面陣引腳結構，使封裝所需的安裝面積接近於芯片尺寸。這種高密度、小巧、扁薄的封裝技術非常適宜用於設計小巧的手持式消費類電子裝置，如個人信息工具、手機、攝錄一體機、以及數碼相機。

BGA封裝內存

BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分佈在封裝下面，BGA技術的優點是I/O引腳數雖然增加了，但引腳間距並沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術有所減少；寄生參數減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。