EDORAM

擴展數據輸出內存。EDORAM是通過取消兩個存儲週期之間的時間間隔，來提高存取速率的。通常，在一個DRAM陣列中讀取一個單元時，首先充電選擇一行然後再充電選擇一列，這些充電線路在穩定之前會有一定的延時，制約了RAM的讀寫速度。EDO技術假定下一個要讀寫的地址和當前的地址是連續的（一般是這樣），在當前的讀寫週期中啓動下一個讀寫週期，從而可將RAM速度提高約30%。但是，EDORAM僅適用於總線速度小於或等於66MHz的情況，是97年最為流行的內存。