複製鏈接
請複製以下鏈接發送給好友

存儲週期

鎖定
存儲週期,是指主存儲器兩次啓動操作之間需要的最小時間間隔,也稱之為主存儲器週期時間。 [1] 
存儲週期不同於主存儲器存取時間的概念,在讀操作情況下,主存的存取時間指的是從啓動取數操作到數據存放主存緩衝寄存器之間所需的時間; 在寫操作情況下,主存的存取時間指的是從主存緩衝寄存器取出將要寫入主存的數據到啓動存數操作之間所需的時間。半導體存儲器的週期時間通常稍大於其存取時間,而磁芯存儲器的週期時間通常是其存取時間的兩倍。 [1] 
中文名
存儲週期
外文名
memory cycle [2] 
別    名
主存儲器週期時間
概    念
主存儲器兩次啓動操作之間需要的最小時間間隔
存儲週期 存儲週期
存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入,是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔,稱為取數時間TA;兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲週期TMC。內存的存取週期一般為60ns-120ns。單位以納秒(ns)度量,換算關係1ns=10-6ms=10-9s,常見的有60ns、70ns、80ns、120ns等幾種,相應在內存條上標為-6、-7、-8、-120等字樣。這個數值越小,存取速度越快,但價格也便隨之上升。在選配內存時,應儘量挑選與CPU系統總線時鐘週期相匹配的內存條
存儲週期 ,通常用訪問週期T(又稱存取週期等)表示,該概念與存取時間是不同的。
存儲系統的存儲週期與命中率H的關係非常大。
命中率:可以簡單地定義為在M1存儲器中訪問到的概率,它一般用模擬實驗的方法得到。選擇一組有代表性的程序,在程序執行過程中分別統計對M1存儲器的訪問次數N1和對M2存儲器的訪問次數N2,然後代入下面的(3-1)關係式計算。
·······(3-1)
整個存儲系統的訪問週期可以用M1和M2兩個存儲器的訪問週期T1,T2和命中率H來表示:
T=H·T1+(1-H)·T2 (3-2)
當命中率H→1時,T→T1,即存儲系統的訪問週期T接近於速度比較快的M1存儲器的訪問週期T1。
參考資料
  • 1.    華北電網有限公司 編;陳開庸 主編.現代電力工業詞典[M].北京:中國電力出版社,2005:65.
  • 2.    鮑克 主編.英漢電子學精解辭典.濟南:山東科學技術出版社.1985.第453頁.