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EDO內存
鎖定
- 中文名
- EDO內存
- 外文名
- RAM Extended Data Out
- 中文含義
- 擴展數據輸出內存
- 特 點
- 每隔2個時鐘週期傳輸一次數據
EDO內存內存簡介
它取消了主板與內存兩個存儲週期之間的時間間隔,每隔2個時鐘脈衝週期傳輸一次數據,大大地縮短了存取時間,使存取速度提高30%,達到60ns。EDO內存主要用於72線的SIMM內存條,以及採用EDO內存芯片的PCI顯示卡。這種內存流行在486以及早期的奔騰計算機系統中,它有72線和168線之分,採用5V工作電壓,總線寬度32 bit,必須兩條或四條成對使用,可用於英特爾430FX/430VX甚至430TX芯片組主板上。目前也已經被淘汰,只能在某些老爺機上見到。
EDO內存工作原理
EDO DRAM與更古老的 FPM DRAM數據讀取完畢才會進行下一個數據的讀取的方式有很大的差異。EDO DRAM可以在輸出數據的同時進行下一個列地址選通,我們依然結合下面的EDO讀取時序圖來了解EDO DRAM讀取數據的過程:
1、RAS在結束上一次的讀取操作之後,進入預充電狀態,當接到讀取數據的請求之後,行地址首先通過地址總線傳輸到地址引腳,在這個期間CAS依然處於預充電狀態。 2、/RAS引腳被激活,列地址開始經過行地址選通電路和行地址解碼器進行行地址的選擇,就在這個同時tRAC週期開始,因為是讀取操作/WE引腳一直沒有被激活,所以內存知道自己進行的是讀取操作而不是寫操作。
3、在CAS依然進行預充電的過程中,列地址被送到列地址選通電路選擇出來合適的地址,當/CAS被激活的同時tCAC週期開始,當tCAC結束的時候,需要讀取的數據將會通過數據引腳傳輸到數據總線。
4、從開始輸出第一組數據的時候,我們就可以體會到EDO同FPM之間的區別了:在tCAC週期結束之前,CAS失活並且開始了預充電,第二組列地址傳輸和選通也隨即開始,第一數據還沒有輸出完畢之前,下一組數據的tCAC週期就開始了--顯然這樣進一步的節省了時間。就在第二組數據輸出前,CAS再次失活為第三組數據傳輸列地址做起了準備……
5、如此的設計使得EDO內存的性能比起FPM的性能提高了大約20-40%。
6、正是因為EDO的速度比FPM快,所以它可以運行在更高的總線頻率上。所以很多的EDO RAM可以運行在66MHz的頻率上,並且一般標註為5-2-2-2。
- 參考資料
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- 1. 專家詳解:內存工作原理及發展歷程 .西域IT網[引用日期2012-12-28]
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