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CMOS電平
鎖定
CMOS電平邏輯電平電壓接近於電源電壓,0 邏輯電平接近於 0V。而且具有很寬的噪聲容限。
- 中文名
- CMOS電平
- 外文名
- Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS
- 路
- 電壓控制器件
- Vcc
- 2.5V
CMOS電平電平簡介
CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS
Vcc:5V;VOH>=4.45V;VOL<=0.5V;VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。
相對TTL有了更大的噪聲容限,輸入阻抗遠大於TTL輸入阻抗。對應3.3V LVTTL,出現了LVCMOS,可以與3.3V的LVTTL直接相互驅動。
3.3V LVCMOS:
Vcc:3.3V;VOH>=3.2V;VOL<=0.1V;VIH>=2.0V;VIL<=0.7V。
2.5V LVCMOS:
Vcc:2.5V;VOH>=2V;VOL<=0.1V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。
CMOS電平鎖定效應
CMOS電路由於輸入太大的電流,內部的電流急劇增大,除非切斷電源,電流一直在增大。這種效應就是鎖定效應。當產生鎖定效應時,COMS的內部電流能達到40mA以上,很容易燒燬芯片。
防禦措施:
(1)在輸入端和輸出端加鉗位電路,使輸入和輸出不超過規定電壓。
(2)芯片的電源輸入端加去耦電路,防止VDD端出現瞬間的高壓。
(3)在VDD和外電源之間加限流電阻,即使有大的電流也不讓它進去。
(4)當系統由幾個電源分別供電時,開關要按下列順序:開啓時,先開啓CMOS電路的電源,再開啓輸入信號和負載的電源;關閉時,先關閉輸入信號和負載的電源,再關閉CMOS 電路的電源。
CMOS電平電路比較
TTL電路與CMOS電路比較
(2)TTL電路的速度快,傳輸延遲時間短(5-10ns),但是功耗大。
CMOS電路的速度慢,傳輸延遲時間長(25-50ns),但功耗低。
CMOS電路本身的功耗與輸入信號的脈衝頻率有關,頻率越高,芯片集越熱,這是正常現象。