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高純鎵
（一般雜質總含量在10-5以下的金屬鎵）
鎖定
高純鎵，一般雜質總含量在10-5以下的金屬鎵。按鎵含量分為5N，6N，7N和8N共四種級別。沸點2403℃。
- 中文名
- 高純鎵
- 外文名
- high purity gallium
- 級 別
- 5N，6N，7N和8N
- 物理性質
- 質軟，淡藍色光澤
- 熔 點
- 29.78 ℃
高純鎵理化性質
斜方晶型，各向異性顯著。0℃的電阻率沿a，b，c三個軸分別為1.75×10-6Ω·m，8.20×10-6Ω·m和55.30×10-6Ω·m。超純鎵剩餘電阻率比值ρ300K/ρ4.2K為55 000。
高純鎵製備方法
採用化學處理、電解精煉、真空蒸餾、區域熔鍊、拉單晶等多種工藝方法制備。
高純鎵應用領域
主要用於電子工業和通訊領域，是製取各種鎵化合物半導體的原料，硅、鍺半導體的摻雜劑，核反應堆的熱交換介質。
高純鎵最新研發
2023年8月，廣西大學本碩博創業團隊“保‘鎵’衞國” 研發出核心技術，成功製備出純度均達到國際領先水平的芯片產業關鍵原材料7N高純鎵。據瞭解，7N高純鎵可廣泛適應于軍事、通訊、新能源產業等多領域，量產後能有效緩解我國半導體原材料行業“卡脖子”問題，為國家半導體原材料安全保駕護航。
[1]
- 參考資料
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- 1. 廣西大學團隊製備出芯片產業關鍵原材料7N高純鎵 ．中國日報網．2023-08-07[引用日期2023-08-07]
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