高帶寬顯存

高帶寬顯存是一款新型的 CPU/GPU 內存芯片，就像摩天大廈中的樓層一樣可以垂直堆疊。基於這種設計，信息交換的時間將會縮短。這些堆疊的芯片通過稱為“中介層”的超快速互聯方式連接至 CPU 或 GPU。將高帶寬顯存的堆棧插入到中介層中，放置於 CPU 或 GPU 旁邊，然後將組裝後的模塊連接至電路板。儘管這些 HBM 堆棧沒有以物理方式與 CPU 或 GPU 集成，但通過中介層緊湊而快速地連接後，高帶寬顯存具備的特性幾乎和芯片集成的RAM 一樣。 ^[1] 

這種顯存由若干層高帶寬內存Die垂直堆棧，各Die與最底層的邏輯Die均通過TSV穿透硅通孔和μbumps微凸點技術直接互連（沒錯，每一層都通過若干個通道直通邏輯Die，而不與其他Die通信），再通過同樣的技術，經中介層與GPU通信。未來HBM推廣到CPU或者SoC芯片上，也是同樣的結構。 ^[1] 

在過去的多年裏，GDDR5 在業界發揮了重要作用。迄今為止，這項顯存技術中的存儲功能幾乎應用在每個高性能顯卡上。但是隨着顯卡芯片的快速發展，人們對快速傳輸信息（“帶寬”）的要求也在不斷提高。GDDR5技術發展漸漸進入瓶頸期。 ^[2] 

GDDR5雖然頻率普遍已經達到了1750MHz（實際7000MHz以上），每個封裝位寬為32-bit，帶寬為28GB/s，每瓦帶寬實測10.66GB/s。 ^[1]  而第一代HBM頻率最高只有500MHz（實際工作頻率1000MHz） ^[1]  ，但是每個封裝的總線位寬高達1024-bit ^[1]  ，帶寬超過100GB/s ^[1]  ，電壓低至1.3V ^[1]  ，每瓦帶寬超過35GB/s ^[1]  ，實測功耗降低50%以上。 ^[1] 

高帶寬顯存HBM實際上是現有GDDR5的完全替代，如今GDDR5的性能功耗曲線已經呈現出非線性曲線，通過簡單的提升頻率增加帶寬的方法已經不足以支撐未來的顯卡性能的發展，所以打破常規開發出更有效的解決辦法才是一勞永逸的變革。AMD與SK Hynix通過更合理的設計理念、更先進的工藝、更高的集成度成功的解決了原有GDDR5在高端顯卡中帶寬不足、功耗大、佔用PCB面積大等諸多負面影響。 ^[2] 

傳統顯存顆粒與GPU之間交互完全依靠PCB的走線設計，在信息交互愈發高速的現代社會已經急需進一步提高，那麼能夠實現顯存顆粒與GPU之間快速交互的中介層成為絕佳的解決方案。通過中介層的運用，顯存顆粒得以進一步拉近與GPU之間的交互，極大地提升每瓦帶寬，性能功耗比提升顯著。傳統顯存顆粒與GPU之間交互完全依靠PCB的走線設計，在信息交互愈發高速的現代社會已經急需進一步提高，那麼能夠實現顯存顆粒與GPU之間快速交互的中介層成為絕佳的解決方案。通過中介層的運用，顯存顆粒得以進一步拉近與GPU之間的交互，極大地提升每瓦帶寬，性能功耗比提升顯著。傳統顯存顆粒與GPU之間交互完全依靠PCB的走線設計，在信息交互愈發高速的現代社會已經急需進一步提高，那麼能夠實現顯存顆粒與GPU之間快速交互的中介層成為絕佳的解決方案。通過中介層的運用，顯存顆粒得以進一步拉近與GPU之間的交互，極大地提升每瓦帶寬。 ^[2] 

除了性能和功耗外，高帶寬顯存在節省產品空間方面也獨具匠心。隨着遊戲玩家對更輕便高效的電腦追求，高帶寬顯存應運而生，它小巧的外形令人驚歎！ ^[2]