高密度存儲器

一種存儲器裝置，該裝置包括：一半導體基板，包含一凹陷區域，該凸陷區域具有由一底面延伸的側邊；一場效三極管，該場效三極管包括一鄰接於該凹陷區域的源／汲極區域；一絕緣層，覆蓋在該凹陷區域上；一下電容器板，覆蓋在該絕緣層上 ，並位於一部分該場效三極管上方，該下電容器板連接至該源 ／汲源區域；一電容器介電體，覆介該下電容器板上；及一上電容器板，覆蓋在該介電層上。