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高傑

(中國科學院高能物理研究所研究員)

鎖定
高傑,男,1961年11月16日出生於北京。1983年畢業於清華大學工程物理系獲學士學位,1986年在清華大學工程物理系獲碩士學位,1992年4月法國巴黎XI大學(Orsay)獲博士學位。1996年6月法國巴黎XI大學(Orsay)獲大博士學位。
現任中國科學院高能物理研究所研究員,北京市僑聯第十五屆委員會副主席。 [1] 
中文名
高傑
出生日期
1961年11月16日
畢業院校
清華大學
出生地
北京
學科類別
核技術及應用
研究方向
加速器物理與技術
職    稱
研究員

高傑人物履歷

高傑 高傑
1983年畢業於清華大學工程物理系,獲學士學位。
1986年在清華大學工程物理系獲碩士學位。
1992.4 法國巴黎XI大學(Orsay),獲博士學位。
1996.6 法國巴黎XI大學(Orsay),獲大博士學位(Habilitation à diriger des recherches)。
1989.5-1992.12在法國國家科研中心直線加速器研究所外國科學家職位。
1993.1-2004.12在法國國家科研中心直線加速器研究所終身研究人員職位,公務員。
2005.1入選中科院“百人計劃” 回國在中科院高能所任研究員。
2019.11當選為北京市僑聯第十五屆委員會副主席。 [1] 
第十三屆全國政協港澳台僑委員會委員。 [2] 

高傑任免信息

2019年11月27日,北京市第十五次歸僑僑眷代表大會完成各項議程後勝利閉幕。高傑當選為市僑聯第十五屆委員會副主席。 [1] 

高傑擔任職務

任ICFA beam dynamics panel member。國際雜誌“物理快報”“物理評論”評審員,國家自然科學獎海外評審專家,北京大學,上海國家光源(SINAP),蘭州大學,的客座教授。 [3] 

高傑研究方向

加速器物理與技術 [4] 

高傑所獲成果

1983年給出了精確測量微波腔中場分佈的解析公式;
1986年研製成功了四電極透鏡系統並得到了0.2微米的鎵離束;
1986年6月-1989年4月:在中科院高能物理研究所建成了中國及亞洲第一台微波電子槍系統;
1990年提出了系統的微波電子槍設計理論及方法;
1991年建立起完整的直線加速器(加速管)的解析理論及方法,該理論被Los Alamos 的Dr. T. Wangler 收錄於其著作”RF Linac Accelerators”中作為獨立章節,並被同行稱為Gao theory;
1996年給出了電子儲存環中束團縱向拉伸及能散增加的新的理論解釋 (2002年意大利科學家稱之為Gao Model);
1996年給出了電子儲存環中束團橫向不穩定性的新的理論解釋;
1996年為CERN-CLIC-CTF2設計並製造了兩根世界上加速流強最大的直線加速管。首次從理論上證明了ξy總存在上限。該問題是加速器物理領域公認的難題。對非線性元件引起的動力學孔徑的減小做了深入的理論研究,並首次給出瞭解析公式來計算動力學孔徑。在Nucl. Instr. and Methods A,Particle Accelerators,Review of Scientific Instruments,及IEEE Trans. Instr. And Measurements上共發表30篇文章。 [3] 

高傑人物訪談

誓做鉅變的創造者——全國政協委員高傑講述留學歸國的故事
2019-12-24來源:人民政協報
高傑,第十一、十二、十三屆全國政協委員,中科院高能物理研究所研究員,北京市僑聯副主席。“國家自然科學基金傑出青年基金”獲得者 [5] 國際直線對撞機國際合作領軍人和未來環形正負電子對撞機加速器負責人。
參考資料