飽和失真

晶體管有三個工作區：飽和區、截止區和線性區（放大區）。對於共發射極的基本放大電路，其輸入波形正好與輸出波形反相，就是相位相差180度，當輸入正弦波正的部分時，應該輸出負的部分，而當輸入的峯值較大的時候，超過了電路的動態範圍，就會出現失真。如果是輸入信號的正半周超出了動態範圍，那麼就會進入晶體管的飽和區，造成飽和失真，對應的輸出信號由於相位差180度的原因，所以輸出信號的負半周的波形失真。

總而言之，對於NPN單管共射放大電路，飽和失真就是輸入信號的正半波超過了三極管的放大能力，造成失真，對應的輸出波形就是輸出波形底部失真，即輸出時三極管進入飽和區，Q設置過高。

解決飽和失真的辦法有：

1. 增加VCC。由於三極管飽和的根本原因是集電結收集電子的能力不足，所以增加VCC能夠增強集電極收集電子的能力，但必須保證VCC在三極管的能承受範圍內，在RC和管子不變的情況下，能夠消除飽和失真。

2. 增加基極電阻RB以減小基極電流，從而集電極電流IC=βIB，在集電極電阻RC和集電極電源VCC不變的情況下，由U_CE=VCC-βI_BR_C得集電極電壓變大，從而使集電極收集電子能力增強，消除飽和失真。

3. 減小集電極電阻，在電路中其他參數不變的情況下，減小集電極電阻RC就減小了在RC上的壓降。由U_CE=VCC-βI_BR_C知：加在集電結的電壓增大，也增強了集電極收集電子的能力，從而消除飽和失真。

4. 更換一隻β較小的管子。在其他參數不變的情況下，換一隻放大倍數較小的管子。由U_CE=VCC-βI_BR_C知：在集電極電阻上的壓降減小，也即增大了加在集電結的電位，增強了集電結收集電子的能力，從而消除飽和失真。 ^[1]