非晶半導體材料

50年代B.T.科洛米耶茨等人開始了對硫系玻璃的研究，1975年W.E.斯皮爾等人在硅烷輝光放電分解制備的非晶硅中實現了摻雜效應,使控制電導和製造PN結成為可能。理論方面，P.W.安德森和N.F. 莫脱建立了非晶態半導體的電子理論。非晶態材料是半導體材料的重要組成部分，主要包括兩大類：硫系玻璃和四面體鍵非晶態半導體。非晶態與晶態半導體具有類似的基本能帶結構，也有導帶、價帶和禁帶，但非晶態非晶態半導體在整體上分子排列無序，具有單晶體的微觀結構。同單晶材料相比，半導體材料製備工藝簡單，對襯底結構無特殊要求，易於大面積生長，摻雜後電阻率變化大，可以製成多種器件，在技術領域中的應用存在着很大的潛力。非晶硫已廣泛應用在複印技術中，由S.R.奧夫辛斯基首創的 As-Te-Ge-Si系玻璃半導體製作的電可改寫主讀存儲器已有商品生產，非晶硅的應用目前研究最多的是太陽能電池。