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靜電釋放
鎖定
- 中文名
- 靜電釋放
- 所屬學科
- 物理學
半導體制造中特別容易產生靜電釋放,因為硅片加工保持在較低的温度中,經典條件為40%±10%相對濕度(RH)。這種條件容易使較高級別的靜電荷生成。雖然增加相對濕度可以減少靜電生成,但是也會增加侵蝕帶來的玷污,因而這種方法並不實用。
靜電釋放帶來的問題
儘管ESD發生時轉移的靜電總量通常很小(納庫倫級別),然而放電的能量積累在硅片上很小的一個區域內。發生在幾個納秒內的靜電釋放能產生超過1A的峯值電流,簡直可以蒸發金屬連線和穿透氧化層。放電也可能成為柵氧化層擊穿的誘因。ESD帶來的另一個重大問題在於,一旦硅片表面有了電荷積累,它產生的電場就能吸引帶電顆粒或極化並吸引中性顆粒到硅片表面(如圖1
[1]
所示)。電視屏幕能吸引灰塵就是一個例子。此外,顆粒越小,靜電對它的吸引作用越明顯。隨着器件關鍵尺寸的縮小
[2]
,ESD對更小顆粒的吸引變得重要起來,能產生致命缺陷。為減少小顆粒玷污,硅片放電必須得到控制。
ESD的標準以及測試方法