電子工業用試劑

又稱光致抗蝕劑，隨着半導體電路向超高頻、高可靠、高集成方向發展。利用光刻工藝刻蝕各種精密的線條一般為 12～1μm，正在研究 0.5μm，越來越細。用作抗蝕塗層的光刻膠是光刻工藝中的關鍵材料，要求光刻膠的性能、質量也越來越高。因此，在微電子工業中光刻膠是研究、競爭相當活躍的領域。在美國，1982～1986年間光刻膠的銷售額年平均增長約14%。

近年來，不斷研究感光性樹脂、感光劑的結構和曝光光源的改進，以提高分辨精度和耐腐蝕等性能，適應微電子工業向超大規模集成電路的發展。

又稱高純化學品,它的應用,貫穿於整個電路生產的工藝過程中。它的質量對控制沾污，提高集成電路成品率,起着重要作用。主要包括兩類:第一類在制半導體器件和集成電路生產中，除高純單晶和超純氣體外, 並要有控制地摻入適量的雜質元素,以使之具有所需要的電性能。這種摻入的雜質稱為摻入劑，主要是砷、磷、硼的化合物，如三氧化二砷、三氯化磷、三氯氧磷、三溴化硼、砷烷、磷烷、硼烷等。這類試劑純度很高，一般金屬元素雜質要控制在0.1～0.001ppm,非金屬元素雜質控制在0.1ppm以下。第二類在蝕刻過程中用於清洗、顯影、腐蝕、去膜等工序。這類試劑包括硫酸、鹽酸、硝酸、氫氟酸、過氧化氫等無機物和丙酮、甲醇等10多種有機溶劑。隨着 MOS（金屬-氧化物-半導體）電路的出現，特別是大規模及超大規模集成電路的發展，對高純試劑的純度和淨度要求也越來越高，除在純度上要求金屬元素的雜質控制在ppb級,非金屬元素達到0.1ppm的水平外，對塵埃粒度也有一定的要求，目前最高要求為: 100ml的液體中,2μm以上的顆粒不超過100個或300個。根據集成電路的集成度不同,有不同的質量標準。

為了適應高純和超淨的質量要求，生產這些試劑的某些工序,要在100級的超淨環境下進行。所用的高純水，產品容器的清洗、分裝、包裝以及產品的貯存等工序都有一套相應的超淨技術，以防止塵埃侵入產品。80年代這類試劑在中國的生產規模為數百噸，電子工業發達的國家已達萬噸規模。

是電子工業中另一種新型材料。液晶的應用已有十多年的歷史，現在主要應用於電子工業。