離子束刻蝕

離子束最小直徑約10nm，離子束刻蝕的結構最小可能不會小於10nm。聚焦離子束刻蝕的束斑可達100nm以下，最少的達到10nm，獲得最小線寬12nm的加工結果。相比電子與固體相互作用，離子在固體中的散射效應較小，並能以較快的直寫速度進行小於50nm的刻蝕，故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想方法。此外聚焦離子束技術的另一優點是在計算機控制下的無掩膜注入，甚至無顯影刻蝕，直接製造各種納米器件結構。但是，在離子束加工過程中，損傷問題比較突出，且離子束加工精度還不容易控制，控制精度也不夠高。