雙基極二極管

雙基極二極管的製作過程：在一塊高電阻率的N型半導體基片的兩端各引出一個鋁電極，如圖4—9中的圖c所示，分別稱為第一基極B₁和第二基極B₂，然後在N型半導體基片一側埋入P型半導體，在兩種半導體的結合部位就形成了一個PN結，再在P型半導體端引出一個電極，稱為發射極E。

雙基極二極管的等效電路如圖4—9中的圖d所示。雙基極二極管B₁、B₂極之間為高電阻率的N型半導體，故兩極之間的電阻R_BB較大(約4—12千歐)，以PN結為中心，將N型半導體分為兩部分，PN結與B₁極之間的電阻用R_B1表示，PN結與B₂極之間的電阻用R_B2表示，R_BB=R_B1+R_B2，E極與N型半導體之間的PN結可等效為一個二極管，用VD表示。 ^[1] 

雙基極二極管的參數有多個，主要參數分壓比、峯點電壓與電流、谷點電壓與電流、調製 極二極管的命各方法電流和耗散功率為例講解。

（1）分壓比。分壓比h是指雙基極二極管發射極E至第一基極B₁間的電壓（不包括PN結管壓降）佔兩基極問電壓的比例，是雙基極二極管很重要的參數，一般在0.3~0.9，是由管子內部結構所決定的常數。

（2）峯點電壓與電流。峯點電壓是指雙基極二極管剛開始導通時的發射椒E與第一基極B₁間的電壓，其所對應的發射極電流叫作峯點電流。

（3）谷點電壓與電流。谷點電壓是指雙基極二極管由負阻區開始進入飽和區時的發射極E與第一基極B₁間的電壓，其所對應的發射極電流叫作谷點電流。

（4）調製電流。調製電流是指發射極處於飽和狀態時，從雙基極二極管第二基極B₂流過的電流。

（5）耗散功率。耗散功率是指雙基極二極管第二基極的最大耗散功率。這是一項極限參數，使用中雙基極二極管實際功耗應小於P瞠M並留有一定餘量，以防損壞。 ^[2] 

(1)檢測兩基極間電阻。

萬用表置於“R×1k”擋，兩表筆(不分正、負)接雙基極二極管除發射極E以外的兩個引腳，讀數應為3-10千歐。

(2)檢測PN結。

1)檢測PN結正向電阻時(以N型基極管為例，下同)，黑表筆(表內電池正極)接發射極E，紅表筆分別接兩個基極，讀數均應為幾千歐。

2)檢測PN結反向電阻時。紅表筆接發射極E，黑表筆分別接兩個基極，讀數均應為無窮大。如果測量結果與上述不符，則説明被測雙基極二極管已損壞。

(3)測量雙基極二極管的分壓比。組裝測量雙基極二極管分壓比η的電路，用萬能表“直流10V”擋測出C2上的電壓U_C2，再代人公式即可計算出該雙基極二極管的分壓比。 ^[3] 

雙基極二極管的特性曲線如圖1所示。

發射極電壓U_E大於峯值電壓U_P是雙基極二極管導通的必要條件。U_P不是一個常數，而是取決於分壓比η和U_BB的大小，即U_P=ηU_BB+0.7V。由於U_P和U_BB呈線性關係，所以可以得到穩定的觸發電壓，又因峯點的電流很小，所以需要的觸發電流也很小。

谷點電壓U_v是維持單結晶體管處於導通狀態的最小電壓。不同的雙基極二極管的谷點電壓也不同，一般為2～5V。當U_E=U_v時，雙基極二極管進入截止狀態。

由於雙基極二極管是一個負阻器件，每一個電流值都會對應一個確定的電壓值，但每一個電壓值則可能有不同的電流值。根據這一點，可在維持電壓不變的情況下，使電流產生躍變，就可以獲得較大的脈衝電流。 ^[4]