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閆建昌

（中國科學院半導體研究所研究員）

鎖定

閆建昌，畢業於清華大學，中國科學院半導體研究所研究員，曾獲得北京市科學技術獎一等獎。

中文名: 閆建昌
國籍: 中國

畢業院校: 清華大學
代表作品: AlGaN基紫外激光二極管研究, 主持
職稱: 研究員

閆建昌工作與學習經歷

2018-01~現在，中國科學院半導體研究所，研究員

2013-01~2017-12， 中國科學院半導體研究所，副研究員

2009-07~2012-12，中國科學院半導體研究所，助理研究員

2004-09~2009-07，中國科學院半導體研究所，工學博士

2000-09~2004-07，清華大學，學士學位

閆建昌獎勵信息

（1）國家科學技術進步獎，二等獎，國家級，2015

（2）北京市科學技術獎，一等獎，省級，2012

閆建昌發表論文

（1） Improved Crystalline Quality of AlN by Epitaxial Lateral Overgrowth Using Two-Phase Growth Method for Deep-Ultraviolet Stimulated Emission, IEEE Photonics Journal, 2016, 第 11 作者

（2） Deep ultraviolet lasing from AlGaN multiple-quantum-well structures, P hys. Status Solidi C, 2016, 第 1 作者

（3） 282-nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance on nano-patterned sapphire substrates, Applied Physics Letters, 2013, 第 11 作者

（4） Photoluminescence properties of Al-rich AlXGa1-XN grown on AlN/sapphire template by MOCVD, Physica Status Solidi C, 2012, 第 2 作者

（5） Improved performance of UV-LED by p-AlGaN with graded composition, Physica Status Solidi C, 2011, 第 1 作者

（6） Three-dimensional hole gas induced by polarization in (0001)-oriented metal-face III-nitride structure, Applied Physics Letters, 2010, 第 3 作者