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量子阱半導體激光器
鎖定
量子阱（QW）半導體激光器是一種窄帶隙有源區夾在
寬帶隙半導體材料中間或交替重疊的半導體激光器，是極有發展前途的一種
激光器。QW激光器的結構與一般的雙異質結激光器的結構相似，只是有源區厚度極薄。當有源區厚度值極小時，有源區與相臨層的能帶會產生不連續現象，即有源區的異質結上出現導帶和價帶的突變，使窄帶隙的有源區為導帶中的電子和價帶中的空穴創造了一個勢能阱，從而帶來了優越的性能，其名也由此而來。
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- 中文名
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量子阱半導體激光器
- 出 處
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《光網絡技術》
量子阱半導體激光器與一般的雙異質結激光器相比，QW激光器具有如下優點：
①閥值電流低。由於其中“阱”的作用，使電子和空穴被限制在很薄的有源區內，造成有源區內
粒子數反轉濃度很高，大大降低了網值電流，其閥值電流低密度可降至雙異質結激光器的1/3和1/5。
②譜線寬度很窄。與雙異質結激光器相比，其諧線寬度可縮小一倍。
③温度靈敏度低，調製速度快，
④頻率很小，動態單縱模特性好。橫模控制能力強。
- 參考資料
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1.
張新社．光網絡技術：西安電子科技大學出版社，2012
